XCSW製 化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ 株式会社トゥーリーズ
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この製品について
■XCSW社
XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。■テスト用ダミー・モニター・プライムウェハSi基板
・ダミーウェハ (再生ウェハ) 主に実験や試験に使用されるものです。製造工程の初期段階の安全性を向上及び確認向けです。プライムウェハとダミーウェハ合わせてテストウェハと称されます。 ・モニターウェハ 製造工程毎に調整のときに使われるウェハです。基板の厚さに対するデバイスの許容誤差の測定、本番前のSiウェハの代用として、監視目的として使われます。-
シリーズ
XCSW製 化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ
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取扱企業
株式会社トゥーリーズ
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XCSW製 化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ 品番2件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ウェハサイズ | 厚さ | 面方位 | 結晶育成法 | ドーパント | 転位密度 | 抵抗値 | ラジアル比抵抗変化量 | 平行度 | プライマリフラット | 前面 | パーティクル (max) | スクラッチ、チップ、ピールなど | 裏面 | インチ | 研磨面 | 基板厚 | 比抵抗 | 粒子 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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テストウェハ-N型150mm SCL |
要見積もり | 150±0.5mm | 675±25um | <100>±2° | (1-100) CZ | リン (P) | <5,000/cm² | 4~7ohm.cm | 15% |
BOW (max) : 60um TIR (max) : 6um TAPER (max) : 12um WARP (max) : 60um |
長さ：57.5±2.5mm 面方位： (110) ±2°SEMI準拠 セカンダリフラット：SEMI準拠 |
鏡面研磨 | ≧0.3um,30 | 無し | エッチド | - | - | - | - | - | |
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モニター/ダミーSiウェハ |
要見積もり | - | - |
4インチ : (100) or (111) 6~12インチ : -100 |
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 4~12 |
4~8インチ : 片面 12インチ : 両面 |
250~775um | 0~100 |
4~8インチ :0.2um ≦30個 12インチ : 0.09um ≦100個 |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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