SiSi Wafer ウエハー直径 100mm | SiSi Wafer
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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デバイス 厚さ 公差範囲
デバイス層 シリコン成長方法
デバイス層 ドーパントタイプ
デバイス層 ドーピング
デバイス層 埋め込み層のインプラ
デバイス層 抵抗率
デバイス層 結晶方位
デバイス層膜厚
ハンドル層 シリコン成長方法
ハンドル層 ドーパント タイプ
ハンドル層 ドーピング
ハンドル層 厚さ
ハンドル層 抵抗率
ハンドル層 結晶方位
ハンドル層 裏面処理
ハンドル層 重ね 厚さ 範囲
ハンドル層厚さ 公差範囲
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型番
SiSi Wafer ウエハー直径 100mm
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シリーズ
SiSi Wafer
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SiSi Wafer SiSi Wafer ウエハー直径 100mmの性能表
| 商品画像 | 価格 (税抜) | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 埋め込み層のインプラ | デバイス層 抵抗率 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層膜厚 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 厚さ | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | ハンドル層 重ね 厚さ 範囲 | ハンドル層厚さ 公差範囲 |
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要見積もり | ±0.5μm | CZ、MCZ or FZ | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | N type または P type | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | 100、111 or 110 | ≥20μm | CZ、MCZ or FZ | NまたはP | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | 200-1,100μm | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 280-1,150μm | ±5μm |
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のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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