トランジスタ

166 点の製品中 6ページ目

株式会社ユニテク

受光素子フォトトランジスタ US7510

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US7510 は、樹脂でモールドされた Φ3 砲弾型高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長・高感度フォトトランジスタ・小型Φ3mm ・RoHS 適合品・生...

2種類の品番

イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタエミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-T150

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が...

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株式会社タイワン・セミコンダクター

N-Channel MOSFETs

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イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタスイッチング用シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N130Xシリーズ

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■特徴・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1.0kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能・コンプリメンタリとしてRT1P130Xシリーズがあります。 ■用途インバータ...

株式会社ユニテク

受光素子フォトトランジスタ US7511

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US7511 は、樹脂でモールドされた Φ3 砲弾型高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長・可視光カット高感度フォトトランジスタ・小型Φ3mm ・RoHS ...

2種類の品番

株式会社ユニテク

分離型フォトセンサ UB1251

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UB1251 は、赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを採用した分離型フォトセンサです。 ■特長・小型で長距離検出可能 (1～150mm) ・可視光カット...

3種類の品番

株式会社タイワン・セミコンダクター

Dual Channel MOSFETs

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8種類の品番

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタスイッチング用シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N136Xシリーズ

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100.0% 返答率

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■特徴・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能・コンプリメンタリとしてRT1P136Xシリーズがあります。 ■用途イン...

株式会社ユニテク

受光素子フォトトランジスタ US7571

380人以上が見ています

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44.2時間返答時間

US7571 は、樹脂でモールドされた Φ5 砲弾型可視光カット高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長・可視光カット高感度フォトトランジスタ・RoHS ...

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株式会社ユニテク

分離型フォトセンサ UB1250

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UB1250 は、赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを採用した分離型フォトセンサです。 ■特長・小型で長距離検出可能 (1～100mm) ・可視光カット...

3種類の品番

株式会社タイワン・セミコンダクター

P-Channel MOSFETs

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6種類の品番

株式会社タイワン・セミコンダクター

General Purpose and Low VCE (sat) Transistor NPN transistor

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イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタスイッチング用シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136M-T150

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■特長・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ド...

株式会社ユニテク

受光素子フォトトランジスタ US8500

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US8500は、NPNシリコン・フォトトランジスタチップを3228PLCCに組み込んだシリコンフォトトランジスタです。 ■特長・外形サイズ3.2×2.8×1.9 ・高感度フォト...

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株式会社ユニテク

分離型フォトセンサ UB1252

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UB1252 は、赤外発光ダイオードとフォトIC を採用した分離型フォトセンサです。 ■特長・長距離検出可能 (1～100mm) ・可視光カット採用・出力タイプ (オ...

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