トランジスタ

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イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ高速スイッチング用シリコンPチャンネルMOS形 INJ0103AM1

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INJ0103AM1は、超小型樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低...

3種類の品番

株式会社ユニテク

受光素子フォトトランジスタ US7510

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US7510 は、樹脂でモールドされた Φ3 砲弾型高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長・高感度フォトトランジスタ・小型Φ3mm ・RoHS 適合品・生...

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イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ高電圧ドライブ用シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1368

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2SA1368は、樹脂封止形のシリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計、製造されておりますので、リレードライブ、電...

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタスイッチング用シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150

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■特長・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、...

イサハヤ電子株式会社

MOS形電界効果トランジスタ高速スイッチング用シリコンPチャンネルMOS形 INJ0203AC1

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INJ0203AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...

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株式会社ユニテク

受光素子フォトトランジスタ US7511

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US7511 は、樹脂でモールドされた Φ3 砲弾型高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長・可視光カット高感度フォトトランジスタ・小型Φ3mm ・RoHS ...

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株式会社ユニテク

分離型フォトセンサ UB1251

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UB1251 は、赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを採用した分離型フォトセンサです。 ■特長・小型で長距離検出可能 (1～150mm) ・可視光カット...

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ウルトエレクトロニクスジャパン株式会社

オプトカプラオプトカプラダーリントン

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■特徴・高絶縁電圧・内部隔離の安定性が良好・フル稼働で安定したCTR ・さまざまなリードフレームオプション ■アプリケーション・プログラマブルロジッ...

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Holtek Semiconductor Inc.

電源管理 ACからDC

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株式会社ユニテク

受光素子フォトトランジスタ US7571

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US7571 は、樹脂でモールドされた Φ5 砲弾型可視光カット高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長・可視光カット高感度フォトトランジスタ・RoHS ...

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株式会社ユニテク

分離型フォトセンサ UB1250

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UB1250 は、赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを採用した分離型フォトセンサです。 ■特長・小型で長距離検出可能 (1～100mm) ・可視光カット...

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トレックス・セミコンダクター株式会社

負荷スイッチ XC8112 シリーズ

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■理想ダイオード機能搭載 2ch ロードスイッチ IC XC8112シリーズは理想ダイオード機能搭載 2chのロードスイッチICです。本ICはVOUT端子電圧をVIN-20mVとなる...

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株式会社ユニテク

受光素子フォトトランジスタ US8500

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US8500は、NPNシリコン・フォトトランジスタチップを3228PLCCに組み込んだシリコンフォトトランジスタです。 ■特長・外形サイズ3.2×2.8×1.9 ・高感度フォト...

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株式会社ユニテク

分離型フォトセンサ UB1252

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UB1252 は、赤外発光ダイオードとフォトIC を採用した分離型フォトセンサです。 ■特長・長距離検出可能 (1～100mm) ・可視光カット採用・出力タイプ (オ...

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株式会社タイワン・セミコンダクター

GaNトランジスター

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GaNパワー台湾セミコンダクターは、5×6 および 8×8 mm の小型フットプリントで熱効率の高い PDFN パッケージにパッケージされた 650V エンハンスメントモー...

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