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トランジスタに含まれる5カテゴリ一覧です。フォトトランジスタ・トランジスタアレイ・パワートランジスタなど幅広く、製品・メーカー・代理店を探すことができます。
162 点の製品中 6ページ目
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イサハヤ電子株式会社
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INJ0003AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
3種類の品番
イサハヤ電子株式会社
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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...
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イサハヤ電子株式会社
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2SA1365は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく VCE (sat) が小さく設計・製造されております。 2SC3440...
イサハヤ電子株式会社
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ド...
イサハヤ電子株式会社
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INJ0011AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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株式会社ユニテク
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US7510 は、樹脂でモールドされた Φ3 砲弾型高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長 ・高感度フォトトランジスタ ・小型Φ3mm ・RoHS 適合品 ・生...
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2SA1369は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタで、コレクタ損失およびコレクタ電流が大きく、さらにhFEが高く、設計、製造されていますので...
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RT1N137Pは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...
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INJ0011AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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US7511 は、樹脂でモールドされた Φ3 砲弾型高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長 ・可視光カット高感度フォトトランジスタ ・小型Φ3mm ・RoHS ...
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株式会社ユニテク
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UB1251 は、赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを採用した分離型フォトセンサです。 ■特長 ・小型で長距離検出可能 (1～150mm) ・可視光カット...
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2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されていますので、オーディオ機器...
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RT1N137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...
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INJ0011AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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