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トランジスタに含まれる5カテゴリ一覧です。フォトトランジスタ・トランジスタアレイ・パワートランジスタなど幅広く、製品・メーカー・代理店を探すことができます。
158 点の製品中 7ページ目
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イサハヤ電子株式会社
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2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されていますので、オーディオ機器...
イサハヤ電子株式会社
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RT1N137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工...
イサハヤ電子株式会社
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INJ0002AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の...
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Luckylight Electronics Co., Ltd
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■概要 フォトトランジスタは、光に敏感なベース領域を持つ 3 端子 (エミッタ、ベース、コレクタ) または 2 端子 (エミッタとコレクタ) の半導体デバイスです...
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株式会社ユニテク
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UR1501は、赤外発光ダイオードと高感度フォトトランジスタを採用した回帰反射型フォトセンサです。 ■特長 ・超小型、1点ねじ取付 ・透過型、片側配線で効率...
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2SA1945は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、高耐圧に設計、製造されております。2SC5211とコンブリメンタリで使...
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P140Xシリーズがあります。 ■用途 インバータ回...
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INJ0003AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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Luckylight Electronics Co., Ltd
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■概要 フォトトランジスタは、光に敏感なベース領域を持つ 3 端子 (エミッタ、ベース、コレクタ) または 2 端子 (エミッタとコレクタ) の半導体デバイスです...
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UI1428は、検知スリット部をフラットにし、物体検知時に点灯する動作表示灯を付けた、防塵構造の透過型フォトICセンサです。 ■特長 ・受光フォトICを使用 ・...
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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...
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2SA1946は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、VCE (sat) が小さく設計、製造されております。2SC5212とコンプリメ...
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ドライバ回路
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INJ0011AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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■概要 フォトトランジスタは、光に敏感なベース領域を持つ 3 端子 (エミッタ、ベース、コレクタ) または 2 端子 (エミッタとコレクタ) の半導体デバイスです...
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