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MOSFETトランジスタのメーカー21社一覧や企業ランキングを掲載中! MOSFETトランジスタの概要、用途、原理もチェック!
MOSFETトランジスタとは、電気信号を増幅したりスイッチングをするための半導体素子です。
「MOSFET」は、 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor の頭文字をとっており、メタル (金属) 、オキサイド (酸化物) 、半導体といった材料の三層構造となっています。主な特徴には、ゲート電圧によってチャネルの伝導度を制御することがあり、スイッチング素子として集積回路 (IC) やデジタル回路などで広く使われています。
そのほかにも、ゲートに対して非常に高い抵抗値を持っており、信号を受ける際に、外部回路からの影響を受けにくくなること、ゲートに電圧がかかる限りほとんど電力を消費しないといった特徴があります。
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イサハヤ電子株式会社
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INJ0001AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形ランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、...
株式会社三社電機製作所
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■特徴 IGBTの弱点である高速スイッチングを克服したデバイスです。SiC (シリコンカーバイト) は絶縁破壊強度がSiの10倍であるために同じ...
2種類の品番
イサハヤ電子株式会社
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INJ0002AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので...
イサハヤ電子株式会社
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INJ0003AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますの...
イサハヤ電子株式会社
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INJ0011AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますの...
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INJ0011AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますの...
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INJ0011AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますの...
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INJ0043AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコン P チャンネルMOS形トランジスタです。駆動電圧が低く設計されておりますので、ポータブル...
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INJ0103AC1は、超小型樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、...
イサハヤ電子株式会社
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INJ0103AM1は、超小型樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、...
イサハヤ電子株式会社
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INJ0203AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますの...
共立電子産業株式会社
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■概要 Pチャンネルエンハンストモード・パワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター (現ONコンダクター) 独自のプレーナストライ...
MOSFETトランジスタとは、電気信号を増幅したりスイッチングをするための半導体素子です。
「MOSFET」は、 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor の頭文字をとっており、メタル (金属) 、オキサイド (酸化物) 、半導体といった材料の三層構造となっています。主な特徴には、ゲート電圧によってチャネルの伝導度を制御することがあり、スイッチング素子として集積回路 (IC) やデジタル回路などで広く使われています。
そのほかにも、ゲートに対して非常に高い抵抗値を持っており、信号を受ける際に、外部回路からの影響を受けにくくなること、ゲートに電圧がかかる限りほとんど電力を消費しないといった特徴があります。