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薄膜作製装置 4元マグネトロンスパッタリング装置-4元マグネトロンスパッタリング装置
薄膜作製装置 4元マグネトロンスパッタリング装置-北野精機株式会社

薄膜作製装置 4元マグネトロンスパッタリング装置
北野精機株式会社

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この製品について

本装置はDCマグネトロンスパッタ源を用いたブレーナー型マグネトロンスパッタリング装置です。弊社独自のロードロック室を設けた、超高真空対応型です。成膜時に均一に成膜が可能な試料回転式になっております。 また、試料のダメージを無くす試料冷却が回転しながら可能です。最大4元までターゲットが装着可能な構造になっており、多層成膜が可能です。将来性を考えたマルチチャンバー対応型となっておりますので、今御使用中の装置などにも簡単に接続が可能です。

■仕様

・真空計を除く全ての真空構成部品は200℃以上での繰り返しベーキングが可能です ・超高真空対応チャンバーとし、Heリークディテクターによるリーク量が1.33×10^-11Pa・m3/sec以下です ・2インチの基板に対応する基板ホルダー (Mo製) を使用することができます ・基板ホルダーはオプションである弊社製トランスファーロッドにより試料ステージ上のホルダー固定機構まで手動で安全に搬送することができます ・架台はキャスター及びレベル調整機能付きです

  • シリーズ

    薄膜作製装置 4元マグネトロンスパッタリング装置

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薄膜作製装置 4元マグネトロンスパッタリング装置 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 超高真空チャンバー 形状 超高真空チャンバー ポート 超高真空チャンバー 材質 超高真空チャンバー 表面処理 超高真空チャンバー 高温処理 超高真空チャンバー リーク量 超高真空チャンバー 到達真空度 3軸マニピュレーター Z方向 3軸マニピュレーター R方向 3軸マニピュレーター チルト方向 モーターコントローラー サンプル加熱ヒーター 方式 サンプル加熱ヒーター 到達温度 サンプル加熱ヒーター ヒーター材 下部フランジ 形状 下部フランジ ポート 下部フランジ 材質 下部フランジ 表面処理 下部フランジ 高温処理 下部フランジ リーク量 液体窒素シュラウド 材質 液体窒素シュラウド 方式 液体窒素シュラウド 処理 液体窒素シュラウド リーク量 メインシャッター機構 方式 膜厚センサー移動機構 架台 AC100V AC200V 圧縮空気
薄膜作製装置 4元マグネトロンスパッタリング装置-品番-4元マグネトロンスパッタリング装置

4元マグネトロンスパッタリング装置

要見積もり

ICF-356-N特殊/203/152/114/70

ICF-203、ICF-152、ICF-114、ICF-70

SUS316L

複合電解研磨鏡面仕上げ

真空ベーキング450℃×48時間以上

5×10^-11Pa・m3/sec

1×10^-11Torr以下 (液体窒素シュラウド冷却かつ300l/s以上のターボ分子ポンプまたは、300l/s以上のイオンポンプ使用時)

100mm (上下機構KUD-114/100Z) モーター駆動

360° (∞) (回転プラットホームKMRP-114) モーター駆動

90° (上下機構KUD-114/70SP) モーター駆動

ステッピングモーター用コントローラー
専用ボックス付き

爪押さえ型

基盤表面温度Max1,200℃

Ta (ヒーター部) モリブデン (本体)
電極には、ロータリージョイントを採用

ICF-356/152×4/70×1

ICF-203、ICF-152、ICF-114、ICF-70

SUS316L

複合電解研磨鏡面仕上げ

真空ベーキング450℃×48時間以上

5×10^-11Pa・m3/sec

ステンレス316L

液体窒素溜め込み式 (8/3″パイプ使用)

バフ研磨鏡面仕上げ、ヒートサイクル処理 (10回)

5×10^-8Pa・m3/sec

トランスファーロッド方式 (オプション/モーター駆動)

センサー:水晶振動子 (オプション)
取付フランジ:ICF-70
移動距離:100mm (精度0.1mm)

材質:SS材/焼付塗装処理 (黒色)
寸法形状:600×1,200×1,500 (キャスター・アジャスター付き)

単相30A

三相20A

5kg/cm2

フィルターから探す

蒸着装置をフィルターから探すことができます

排気時間 分

10 - 15 15 - 20 20 - 25

排気系主ポンプ

クライオポンプ 油拡散ポンプ ターボ分子ポンプ

操作方法

全自動 手動 自動

基板サイズ mm

50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 1000 1000 - 3000

チャンバーサイズ mm

150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350 350 - 400

蒸発方式

抵抗加熱 電子銃 高周波誘導加熱

基板加熱温度 ℃

100 - 500 500 - 800 800 - 1000

膜厚分布 %

1 - 5 5 - 15

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