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3つのターゲットで同時成膜可能なスパッタ装置 三元マグネトロンスパッタ装置-三元マグネトロンスパッタ装置
3つのターゲットで同時成膜可能なスパッタ装置 三元マグネトロンスパッタ装置-株式会社片桐エンジニアリング

3つのターゲットで同時成膜可能なスパッタ装置 三元マグネトロンスパッタ装置
株式会社片桐エンジニアリング



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この製品について

◼︎概要 ・三元同時スパッタによる新素材の薄膜開発 ・多元同時スパッタ以外にも、白金ヒーターを採用することで、基板の高温活性化 (ヒータ温度:950℃) や反応性スパッタなど様々な使い方に対応 ※お客様の実験内容や予算に応じて仕様のカスタマイズが可能です。 ※アシスト用プラズマ源も対応可能 (ECR、ICP、他) ◼︎動作原理 スパッタリングとは成膜方法の一つです。Arなどの不活性ガスをRFやDCなどの電源を用いてイオン化し、イオンをターゲットに高速で衝突させることで粒子が飛散します。この粒子をスパッタ粒子と呼び、目的の基板上に推積されることで成膜を行います。 弊社のスパッタリング装置は電極に磁石を埋め込み、電源にRFを採用したマグネトロンスパッタ装置です。標準で3基のRF電源を備え、3種のターゲットを同時にスパッタ可能です。また白金ヒーターを採用することにより、酸化雰囲気でのプロセス及び、反応性スパッタリングに対応致します。

  • シリーズ

    3つのターゲットで同時成膜可能なスパッタ装置 三元マグネトロンスパッタ装置

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3つのターゲットで同時成膜可能なスパッタ装置 三元マグネトロンスパッタ装置 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜)
3つのターゲットで同時成膜可能なスパッタ装置 三元マグネトロンスパッタ装置-品番-三元マグネトロンスパッタ装置

三元マグネトロンスパッタ装置

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使用用途

#研究開発 #金属膜 #有機エレクトロニクス #電子顕微鏡試料 #多層膜 #電子部品半導体 #超高真空 #MBE #保護膜

蒸着方式

抵抗加熱蒸着型 電子ビーム蒸着型

成膜環境

真空蒸着型 高真空蒸着型 イナートガス雰囲気型

蒸着材料供給方式

単発源型 多元源型

特徴機能

自動制御型 高速成膜型 高精度厚さ制御型 クリーン対応型

排気時間 分

10 - 15 15 - 20 20 - 25

排気系主ポンプ

クライオポンプ 油拡散ポンプ ターボ分子ポンプ

操作方法

全自動 手動 自動

基板サイズ mm

50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 1,000 1,000 - 3,000

チャンバーサイズ mm

150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350 350 - 400

蒸発方式

抵抗加熱 電子銃 高周波誘導加熱

基板加熱温度 ℃

100 - 500 500 - 800 800 - 1,000

膜厚分布 %

1 - 5 5 - 15

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