クラスター MRAM用スパッタリング装置 EC7800
キヤノンアネルバ株式会社

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この製品について

MJT素子形成のための優れた膜厚均一性と極薄膜の多層薄膜を可能にする研究開発～少量生産向けスパッタリング装置です。

ハードディスク磁気ヘッドのGMRヘッド、TMRヘッドの磁性薄膜スパッタリング装置として数多くのお客様に納入実績のあるHC7100シリーズの磁性薄膜技術と、半導体メモリ用スパッタリング装置として多くのお客様に納入実績のあるIC7000シリーズ (旧型式I-1000シリーズ) とのアーキテクチャ統合により開発されたスパッタリング装置です。

不揮発メモリー (NVM) として注目されているMRAMのMTJ素子を形成するための多層膜を成膜する装置であり、研究開発向けから少量生産向けに対応しています。

■用途MRAMのMTJ素子多層膜成膜

■特長・新規スパッタ技術のLRP (Low Pressure Remote Plasma Sputtering) の導入により、±1 ％以下の優れた膜厚分布を実現
・通常のスパッタ圧力より一桁低い0.02 Paでの低圧放電により、非常に平坦で低抵抗の膜を実現
・超高真空により高いMR比を実現
・豊富な成膜モジュールラインナップ (多元カソード仕様) 

■用語の説明・GMRヘッド：巨大磁気抵抗 (Giant Magnetic Resistance) ヘッドの略。磁界の変化によって電気抵抗が大きく変わる巨大磁気抵抗効果を応用した素子を利用したHDDヘッド
・TMRヘッド：トンネル磁気抵抗 (Tunnel Magneto Resistance) ヘッドの略。MTJ素子において磁場の印加でトンネル電流が流れ、電気抵抗が変化するTMR効果を応用した素子を利用したHDDヘッド。
・MRAM：磁気ランダムアクセスメモリ (Magnetoresistive Random Access Memory) の略。MTJ素子を用いて、記録、読出しを行う不揮発性メモリ。このメモリは電源を切っても記録保持されるため、信頼性の必要となる箇所へ使用されます。
・MTJ：磁気トンネル接合 (Magnetic Tunnel Junction) の略。TMR (Tunnel Magneto-Resistance) 効果によって電気抵抗が変化する素子。
・NVM：不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory) の略。電源がなくても記録保持するメモリ。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
クラスター MRAM用スパッタリング装置 EC7800

取扱企業
キヤノンアネルバ株式会社

カテゴリ

加工・工作機器

スパッタリング装置

加工・工作機器

成膜装置

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クラスター MRAM用スパッタリング装置 EC7800 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	装置構成	対応基板サイズ	チャンバー構成	カソード	カソードサイズ	主排気系
	EC7800	要見積もり	クラスター式	φ300 mm	スパッタ室、エッチング室、酸化処理室、ヒート室	RMCカソード (DC、RF方式) 、最大32基	7.1 inch	ターボー分子ポンプ、クライオポン