クラスター MRAM用スパッタリング装置 NC7900
キヤノンアネルバ株式会社

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この製品について

MTJ素子形成のための優れた膜圧均一性と極薄膜の多層薄膜を可能にする量産向けスパッタリング装置です。

不揮発メモリー (NVM) として注目されているMRAM用多層膜を成膜する量産向けスパッタリング装置です。STT-MRAMに採用される面内磁化型MTJと垂直磁化型MTJ両方の成膜に対応可能です。研究開発装置として使用されてきたスパッタリング装置 EC7800をMRAM量産に対応できるよう、高スループット、低パーティクル化を実現しました。

■用途MRAM量産のMTJ素子多層膜成膜

■特長・超高真空下での斜め入射回転成膜
・多層薄膜形成技術、良質な界面コントロール
・面内磁化型MTJと垂直磁化型MTJの両方に対応可能
・垂直磁化型MTJにおいて20枚/hのスループットを実現

■用語の説明・NVM：不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory) の略。電源がなくても記録保持するメモリ。
・MRAM：磁気ランダムアクセスメモリ (Magnetoresistive Random Access Memory) の略。MTJ素子を用いて、記録、読出しを行う不揮発性メモリ。このメモリは電源を切っても記録保持されるため、信頼性の必要となる箇所へ使用されます。
・STT-MRAM：スピン注入磁化反転 (Spin Transfer Torque) -MRAMの略。磁性層の磁化反転にスピン注入磁化反転を利用した次世代のMRAM。
・MTJ：磁気トンネル接合 (Magnetic Tunnel Junction) の略。TMR (Tunnel Magneto-Resistance) 効果によって電気抵抗が変化する素子。
・垂直磁化型MTJ：磁性膜に対して垂直方向に磁化させた記録方式。
・面内磁化型MTJ：垂直磁化型に対し、磁性膜に水平に磁化させた記録方式。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
クラスター MRAM用スパッタリング装置 NC7900

取扱企業
キヤノンアネルバ株式会社

カテゴリ

加工・工作機器

スパッタリング装置

加工・工作機器

成膜装置

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クラスター MRAM用スパッタリング装置 NC7900 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	装置構成	対応基板サイズ	チャンバー構成	カソード	カソードサイズ	主排気系
	NC7900	要見積もり	クラスター式	φ300 mm	スパッタ室、エッチング室、酸化処理室、ヒート室	RMCカソード (DC、RF方式) 、最大32基	7.1 inch	ターボー分子ポンプ、クライオポンプ