圧電膜形成スパッタリング装置
ジャパンクリエイト株式会社

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この製品について

■特徴・単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで連続成膜が可能
・プラズマエミッションモニターを搭載により圧電特性低下に寄与する元素検知可能
・圧電に寄与する軸長を最大限に長くするDeposition構造
・当社独自のスパッタカソードを搭載
・ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能
・当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し基板温度900℃を実現
・発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御により、高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜が可能
・トレイ搬送も対応可
・CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可

■用途・半導体
・MEMS
・電子部品
・光学部品
・車載部品

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
圧電膜形成スパッタリング装置

取扱企業
ジャパンクリエイト株式会社

カテゴリ

加工・工作機器

成膜装置

利用シーン
化学業界用 / 電子・電気機器業界用

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圧電膜形成スパッタリング装置品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	基板サイズ	スパッタカソード	スパッタ電源	プロセスガス	基板ステージ	真空排気	圧力制御	制御操作	データロギング	基板搬送	オプション
	圧電膜形成スパッタリング装置	要見積もり	最大φ12インチ	マグネトロン方式ターゲットシャッタ	RFまたはDC	Ar、O2、N2、他	基板加熱：700℃ (基板表面) 自転：最高20rpm	構成1：TMP+DP 構成2：CP+DP	APC制御	制御：PLC 操作：タッチパネルまたはPC	外部メモリまたはPC	真空搬送ロボット	基板加熱900℃、基板バイアス (RFまたはDC) 、基板冷却 (低温成膜) 、ムービングマグネット、磁性材ターゲット用カソード、発光分析システム、トレイ搬送、Q-MASS など