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XCSW製 化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ-株式会社トゥーリーズ

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ウェハサイズ

150±0.5mm

厚さ

675±25um

結晶育成法

(1-100) CZ

ドーパント

リン (P)

転位密度

<5,000/cm²

抵抗値

4~7ohm.cm

ラジアル比抵抗変化量

15%

平行度

BOW (max) : 60um TIR (max) : 6um TAPER (max) : 12um WARP (max) : 60um

プライマリフラット

長さ:57.5±2.5mm 面方位: (110) ±2°SEMI準拠 セカンダリフラット:SEMI準拠

前面

鏡面研磨

パーティクル (max)

≧0.3um,30

スクラッチ、チップ、ピールなど

無し

裏面

エッチド

インチ

4~12

研磨面

4~8インチ : 片面 12インチ : 両面

基板厚

250~775um

比抵抗

0~100

粒子

4~8インチ :0.2um ≦30個 12インチ : 0.09um ≦100個

この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

■テスト用ダミー・モニター・プライムウェハSi基板

・ダミーウェハ (再生ウェハ) 主に実験や試験に使用されるものです。製造工程の初期段階の安全性を向上及び確認向けです。プライムウェハとダミーウェハ合わせてテストウェハと称されます。 ・モニターウェハ 製造工程毎に調整のときに使われるウェハです。基板の厚さに対するデバイスの許容誤差の測定、本番前のSiウェハの代用として、監視目的として使われます。

  • 型番

    テストウェハ-N型150mm SCL

企業レビュー 5.0

Metoree経由で見積もり

2024年12月5日にレビュー済み

顧客対応への満足度

今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。

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XCSW製 化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ テストウェハ-N型150mm SCLの性能表

商品画像 価格 (税抜) ウェハサイズ 厚さ 面方位 結晶育成法 ドーパント 転位密度 抵抗値 ラジアル比抵抗変化量 平行度 プライマリフラット 前面 パーティクル (max) スクラッチ、チップ、ピールなど 裏面
XCSW製 化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ-品番-テストウェハ-N型150mm SCL 要見積もり 150±0.5mm 675±25um <100>±2° (1-100) CZ リン (P) <5,000/cm² 4~7ohm.cm 15% BOW (max) : 60um
TIR (max) : 6um
TAPER (max) : 12um
WARP (max) : 60um
長さ:57.5±2.5mm
面方位: (110) ±2°SEMI準拠
セカンダリフラット:SEMI準拠
鏡面研磨 ≧0.3um,30 無し エッチド

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直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位 度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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5.0

会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県

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