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排気ポンプ
CRYO+DRP+MBP
設置寸法
W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm
重量
3,100kg
電源容量
本体:200V (Φ3) /約40kVA (115A) 蒸発源:200V (Φ3) /約25kVA (73A)
到達圧力
6.7×10-5Pa以下
排気速度
大気圧より4.0×10-4Pa迄20分以内
基板加熱
MAX150℃ 常用100℃
蒸発源
電子銃270°偏向、電源10kW
膜厚分布
±1%以内 (バッチ内、バッチ間) T/S=1,100mm (700~1,100mm迄対応可能)
排気系
クライオポンプ、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ
真空槽
W800mm×D800mm×H1,300mm、SUS304製
フットプリント
W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm
所要電力
本体:Φ3 200V 約40KVA (115A) 蒸発源:Φ3 200V 約25KVA (73A)
所要水量
0.2MPa以上 (差圧) 、44L/min、20~25℃
所要圧空
0.7MPa (設定圧0.5MPa) 、接続口径Rc1/2
ガス圧力
0.05MPa (設定圧0.02MPa) 、接続口径SWL1/4
型番
SEC-22Cシリーズ
真空蒸着装置 SEC-22C取扱企業
株式会社昭和真空カテゴリ
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蒸着装置の製品135点中、注目ランキング上位6点
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商品画像 | 価格 (税抜) | 排気ポンプ | 設置寸法 | 重量 | 電源容量 | 到達圧力 | 排気速度 | 基板加熱 | 蒸発源 | 膜厚分布 | 排気系 | 真空槽 | フットプリント | 所要電力 | 所要水量 | 所要圧空 | ガス圧力 |
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要見積もり | CRYO+DRP+MBP | W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm | 3,100kg | 本体:200V (Φ3) /約40kVA (115A) 蒸発源:200V (Φ3) /約25kVA (73A) | 6.7×10-5Pa以下 | 大気圧より4.0×10-4Pa迄20分以内 | MAX150℃ 常用100℃ | 電子銃270°偏向、電源10kW | ±1%以内 (バッチ内、バッチ間) T/S=1,100mm (700~1,100mm迄対応可能) | クライオポンプ、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ | W800mm×D800mm×H1,300mm、SUS304製 | W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm | 本体:Φ3 200V 約40KVA (115A) 蒸発源:Φ3 200V 約25KVA (73A) | 0.2MPa以上 (差圧) 、44L/min、20~25℃ | 0.7MPa (設定圧0.5MPa) 、接続口径Rc1/2 | 0.05MPa (設定圧0.02MPa) 、接続口径SWL1/4 |
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使用用途
#研究開発 #金属膜 #有機エレクトロニクス #電子顕微鏡試料 #多層膜 #電子部品半導体 #超高真空 #MBE #保護膜蒸着方式
抵抗加熱蒸着型 電子ビーム蒸着型成膜環境
真空蒸着型 高真空蒸着型 イナートガス雰囲気型蒸着材料供給方式
単発源型 多元源型特徴機能
自動制御型 高速成膜型 高精度厚さ制御型 クリーン対応型排気時間 分
10 - 15 15 - 20 20 - 25排気系主ポンプ
クライオポンプ 油拡散ポンプ ターボ分子ポンプ操作方法
全自動 手動 自動基板サイズ mm
50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 1,000 1,000 - 3,000チャンバーサイズ mm
150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350 350 - 400蒸発方式
抵抗加熱 電子銃 高周波誘導加熱基板加熱温度 ℃
100 - 500 500 - 800 800 - 1,000膜厚分布 %
1 - 5 5 - 15