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Bow
≤40μm
warp
≤40μm
粗さ
≤2Å
ドーパントタイプ
N or P
ドーピング
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron
低効率
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm
シリコン成長方法
CZ、MCZ or FZ
結晶方位
100、111 or 110
熱酸化 フィールド酸化膜厚
0.2-4.0 μm
型番
DSP Wafer ウエハー直径 150mmシリーズ
DSP Wafersカテゴリ
| 商品画像 | 価格 (税抜) | ウエハー厚さ | ウエハー厚さ 公差範囲 | 厚さの偏差 (TTV) | Bow | warp | 粗さ | ドーパントタイプ | ドーピング | 低効率 | シリコン成長方法 | 結晶方位 | 熱酸化 フィールド酸化膜厚 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
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要見積もり | 200-1,100μm | ±2μm | ≤1μm | ≤40μm | ≤40μm | ≤2Å | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | 0.2-4.0 μm |
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使用用途
#半導体製造 #太陽電池 #MEMS製造 #センサ開発 #電子部品試作 #パワーデバイス #研究開発 #フォトニクス #車載機器開発 #医療機器開発素材の種類
モノクリスタルシリコン ポリシリコンサイズ
4インチウェハ 6インチウェハ 8インチウェハプロセス
化学機械研磨 エピタキシャル成長直径 mm
5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400厚さ um
0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000抵抗率 Ω・cm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000結晶方位 度
100 - 101 101 - 112 112 - 211導電型
N/P N P成長方法
CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZパーティクルサイズ μm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110
