全てのカテゴリ
閲覧履歴
ハンドル層 厚さ
200-1,100μm
ハンドル層厚さ 公差範囲
±5μm
ハンドル層 重ね 厚さ 範囲
280-1,150μm
ハンドル層 ドーパント タイプ
NまたはP
ハンドル層 ドーピング
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron
ハンドル層 抵抗率
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm
ハンドル層 シリコン成長方法
CZ、MCZ or FZ
ハンドル層 結晶方位
100、111 or 110
ハンドル層 裏面処理
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる
デバイス層膜厚
≥20μm
デバイス層 ドーパントタイプ
N or P
デバイス層 ドーピング
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron
デバイス層 抵抗率
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm
デバイス層 シリコン成長方法
CZ、MCZ or FZ
デバイス層 結晶方位
100、111 or 110
デバイス層 埋め込み層のインプラ
N type または P type
型番
SiSi Wafer ウエハー直径 125mmシリーズ
SiSi Waferカテゴリ
もっと見る
シリコンウェハの製品85点中、注目ランキング上位6点
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
返答時間が24時間以内の企業の中での注目ランキング
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
| 商品画像 | 価格 (税抜) | ハンドル層 厚さ | ハンドル層厚さ 公差範囲 | ハンドル層 重ね 厚さ 範囲 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | デバイス層膜厚 | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 抵抗率 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層 埋め込み層のインプラ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
要見積もり | 200-1,100μm | ±5μm | 280-1,150μm | NまたはP | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | ≥20μm | ±0.5μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | N type または P type |
シリコンウェハの中でこの商品と同じ値をもつ製品
導電型がN/Pの製品
シリコンウェハをフィルターから探すことができます
直径 mm
5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600厚さ um
0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000抵抗率 Ω・cm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000結晶方位 度
100 - 101 101 - 112 112 - 211導電型
N/P N P成長方法
CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZパーティクルサイズ μm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110
