ソース ミニ電子ビーム蒸着装置 EBV40A1-EBV40A1
ソース ミニ電子ビーム蒸着装置 EBV40A1-北野精機株式会社

ソース ミニ電子ビーム蒸着装置 EBV40A1
北野精機株式会社



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この製品について

■概要

EBV40A1は数原子層の膜を作製するためやMBE装置で作製した多層膜のドーパント用として開発された装置です。フラックスを監視しながら蒸発量を正確にコントロールすることによって1分間に1/10層の膜を作製することが出来ます。また超高真空下で蒸発させることにより非常に純度の高い膜成長が可能となります。 蒸発量のコントロールは作製する膜の均一性にも有効に作用します。基板上の成膜の範囲はソース先端と基板との距離及びノズルの出射アパチャーのサイズにより決められます。尚、手動シャッターが標準装備されていますが、モータ駆動による自動シャッターのご要望にも対応しています。

■特徴

・取付フランジがICF70 (外径70mm) と簡便な設計 ・蒸着材料のフラックスをモニタリングする事により材料の蒸発量をコントロール (標準装備) ・電子ビーム蒸着装置のソースを取り外すことなく、蒸着材料の交換が可能 ・蒸着材料は送出し機構に装填され、材料の大部分が消費 (標準装備) ・手動式シャッターを標準装備し、蒸着を即座に停止 ・ソース先端に装着するノズルにより基板へ均一な蒸着が可能 ・蒸着材料に合わせた各種クルーシブル

  • シリーズ

    ソース ミニ電子ビーム蒸着装置 EBV40A1

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ソース ミニ電子ビーム蒸着装置 EBV40A1 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 成膜サイズ 蒸着材料加熱温度 加速電圧 蒸着材料 (ロッド) サイズ 冷却水の温度 真空内ソース長 取付フランジ ベイク温度 ワーキング距離 先端取付ノズル
ソース ミニ電子ビーム蒸着装置 EBV40A1-品番-EBV40A1

EBV40A1

要見積もり 直径5~20mm 160~2,300℃ (モリブデンコネクター使用時:3,300℃) 0~1,500eV (通常使用電圧:600~800eV)
最大エミッション電流:200mA
最大電力:300W
0.5~2.3mm 0~100℃ 長さ212mm、口径34.8mm DN40CF (外径70mm) ~250℃ 25~75m (推称ワーキング距離70~75mm) ID4 (内径4mm) ~ID19 (内径19mm)

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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