真空蒸着装置 SEC-22C
株式会社昭和真空

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この製品について

■金属蒸着のスタンダードモデルφ4インチ及びφ6インチウエハに対して電極膜及び酸化膜の成膜が可能です。蒸着物のウエハへの入射角が垂直になるよう構成されている為、リフトオフ工程にも対応できます。

■用途・応用例各種電子部品の電極膜形成、リフトオフ工程に対応した電極形成、保護膜用途などの酸化膜形成

■特長・オプション・高速排気4.0×10-4Paまで20min
・膜厚分布±1.0%以下 (φ4インチウエハ面内) 
・リフトオフ用途に適した蒸着材料の垂直入射が可能T/S1,100mm時、入射角≦5度 (φ6インチ) 
・基板ドーム内の入射角をより安定させるため高精度ドームを採用
・低温蒸着プロセスによりレジストパターンへダメージを軽減した成膜が可能
・補正板を4式搭載しており4材料の膜厚分布調整が可能
・Al蒸着のハイレート化を実現 (当社従来比で3倍) 
・レシピ設定管理・ログの取得が可能
・防着板は最小限の交換作業でメンテナンス可能な構造を採用
・イオンソース搭載 (オプション) により、成膜前のクリーニング処理が可能。自然酸化膜の除去、有機物の除去、表面改質などに効果的
・イオンソース搭載 (オプション) により成膜中のアシスト蒸着が可能。密着力の改善、応力コントロール、膜質コントロールなどに効果的

■オプション基板クリーニング機構搭載〔イオンソース、ボンバード〕、基板冷却機構、プラネタリー治具、T/S＝900mm

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
真空蒸着装置 SEC-22C

取扱企業
株式会社昭和真空

カテゴリ

加工・工作機器

蒸着装置

加工・工作機器

成膜装置

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真空蒸着装置 SEC-22C 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	排気ポンプ	設置寸法	重量	電源容量	到達圧力	排気速度	基板加熱	蒸発源	膜厚分布	排気系	真空槽	フットプリント	所要電力	所要水量	所要圧空	ガス圧力
	SEC-22C	要見積もり	CRYO＋DRP＋MBP	W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm	3,100kg	本体：200V (Φ3) ／約40kVA (115A) 蒸発源：200V (Φ3) ／約25kVA (73A)	6.7×10-5Pa以下	大気圧より4.0×10-4Pa迄20分以内	MAX150℃ 常用100℃	電子銃270°偏向、電源10kW	±1%以内 (バッチ内、バッチ間) T/S＝1,100mm (700~1,100mm迄対応可能)	クライオポンプ、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ	W800mm×D800mm×H1,300mm、SUS304製	W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm	本体：Φ3 200V 約40KVA (115A) 蒸発源：Φ3 200V 約25KVA (73A)	0.2MPa以上 (差圧) 、44L/min、20~25℃	0.7MPa (設定圧0.5MPa) 、接続口径Rc1/2	0.05MPa (設定圧0.02MPa) 、接続口径SWL1/4