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ガスデポジション (GD) 装置 高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1-高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1
ガスデポジション (GD) 装置 高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1-有限会社渕田ナノ技研

ガスデポジション (GD) 装置 高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1
有限会社渕田ナノ技研



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この製品について

■概要

ガス中で作製されたナノ粒子はガス搬送され、ノズルから対向する基材へ噴射堆積される。活性なナノ粒子を膜形成に利用するために、低温成膜が可能である。

  • シリーズ

    ガスデポジション (GD) 装置 高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1

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ガスデポジション (GD) 装置 高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) ナノ粒子作製部 高周波誘導加熱 (kw) 膜形成部 ノズル径 (mm) 膜形成部 ノズル本数 基材駆動 (mm) 付属機能
ガスデポジション (GD) 装置 高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1-品番-高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1

高周波誘導加熱30kw ノズル径φ1mm×1

要見積もり

30

φ1

1

X300×Y150×Z30
Θ90度

高純度Heガスリサイクルシステム付き

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成膜装置をフィルターから探すことができます

使用用途

#半導体製造 #光学部品製造 #太陽電池製造 #ディスプレイ製造 #電池材料開発 #センサ開発 #薄膜トランジスタ開発 #表面改質 #機能性材料研究 #MEMS製造 #医療機器製造 #材料評価

到達圧力 Pa

0 - 0.01 0.01 - 1 1 - 10

基板サイズ mm

25 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 650

設置面積 m²

1 - 5 5 - 10 10 - 20

所要電力 kVA

10 - 15 15 - 20 20 - 25 25 - 30 30 - 35

真空槽 mm

500 - 800 800 - 1,000

基板バイアス V

0 - 5,000 5,000 - 25,000

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

有限会社渕田ナノ技研は、2004年に設立されたエアロゾル化ガスデポジション装置メーカーです。 製造拠点として茨城県に工場を設け、半導体基板の製造のために使用される密閉容器に入れられた微粒子をノズルで噴射することによって...

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  • 本社所在地: 茨城県

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