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高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001-HTC3001
高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001-株式会社エピクエスト

高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001
株式会社エピクエスト



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  • シリーズ

    高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001

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高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) リアクタ 投入室 基板サイズ 基板加熱 最高加熱温度 適用
高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001-品番-HTC3001

HTC3001

要見積もり

縦型石英製 フェイスダウン

トランスファーロッド付

Φ3インチ×1枚

高周波加熱方式

1,800℃ (放射温度計値)

sicなど

フィルターから探す

成膜装置をフィルターから探すことができます

到達圧力 Pa

0 - 0.01 0.01 - 1 1 - 10

基板サイズ mm

25 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 650

設置面積 m²

1 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 100

所要電力 kVA

10 - 15 15 - 20 20 - 25 25 - 30 30 - 35

真空槽 mm

500 - 800 800 - 1,000

基板バイアス V

0 - 5,000 5,000 - 25,000

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

株式会社エピクエストは2000年に設立し、主にMBE装置、MOCVD装置の開発、製造を行っている会社です。 MBEやMOCVD装置は、天然にない人工結晶を作製する技術であるエピキタシー技術を基盤としており、結晶を成...

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  • 本社所在地: 京都府
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