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高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001-HTC3001
高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001-株式会社エピクエスト

高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001
株式会社エピクエスト



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  • シリーズ

    高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001

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高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) リアクタ 投入室 基板サイズ 基板加熱 最高加熱温度 適用
高温CVD装置 SiC用CVD装置 HTC3001-品番-HTC3001

HTC3001

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縦型石英製 フェイスダウン

トランスファーロッド付

Φ3インチ×1枚

高周波加熱方式

1,800℃ (放射温度計値)

sicなど

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

株式会社エピクエストは2000年に設立し、主にMBE装置、MOCVD装置の開発、製造を行っている会社です。 MBEやMOCVD装置は、天然にない人工結晶を作製する技術であるエピキタシー技術を基盤としており、結晶を成...

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  • 本社所在地: 京都府
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