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MOCVD装置 横型リアクタ SH2003-SH2003
MOCVD装置 横型リアクタ SH2003-株式会社エピクエスト

MOCVD装置 横型リアクタ SH2003
株式会社エピクエスト

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この製品について

SHシリーズは、窒化物半導体用として特別に開発された横型ステンレス製リアクタを採用しています。シミュレーション技術により設計された内部石英フローチャネルの最適化により、優れた均一性を有しています。 研究開発用GaN系・AlGaN系材料において豊富な納入実績があります。

  • シリーズ

    MOCVD装置 横型リアクタ SH2003

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MOCVD装置 横型リアクタ SH2003 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) リアクタ形状 基板 (ウエハ) サイズ×枚数 ウエハ面 最高加熱温度 基板回転機構 基板加熱 プロセス排気 投入室 排気システム 投入室 基板保管機構 (3枚ストック) 輸送機構 ガス制御ボックス シリンダーキャビネット 制御装置 操作パネル 制御装置 異常表示 制御装置 インターロック機能 制御装置 自動成長システム 制御装置 バックアップ電源 制御装置 保安装置
MOCVD装置 横型リアクタ SH2003-品番-SH2003

SH2003

要見積もり

横型ステンレスリアクタ

φ2インチ×3枚

フェイスアップ

1,300℃ (制御用熱電対値)

0~30rpm

抵抗加熱方式

ロータリーポンプ (ドライポンプはオプション対応)

ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ
※ドライポンプはオプション対応

標準装備

トランスファーロッド式またはレール式

有機金属6系統、水素化物系3系統、キャリアガス2系統、ベントガス2系統、ダミーライン、パージライン

47L (10L) 容器4本立 (ガス3本、窒素1本)

標準装備

標準装備

標準装備

標準装備

標準装備

標準装備

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使用用途

#半導体製造 #光学部品製造 #太陽電池製造 #ディスプレイ製造 #電池材料開発 #センサ開発 #薄膜トランジスタ開発 #表面改質 #機能性材料研究 #MEMS製造 #医療機器製造 #材料評価

到達圧力 Pa

0 - 0.01 0.01 - 1 1 - 10

基板サイズ mm

25 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 650

設置面積 m²

1 - 5 5 - 10 10 - 20

所要電力 kVA

10 - 15 15 - 20 20 - 25 25 - 30 30 - 35

真空槽 mm

500 - 800 800 - 1,000

基板バイアス V

0 - 5,000 5,000 - 25,000

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この商品の取り扱い会社情報

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18.7時間

会社概要

株式会社エピクエストは2000年に設立し、主にMBE装置、MOCVD装置の開発、製造を行っている会社です。 MBEやMOCVD装置は、天然にない人工結晶を作製する技術であるエピキタシー技術を基盤としており、結晶を成...

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  • 本社所在地: 京都府
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