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特別なドーピング装置を用いて、P,Sb,Asなど高濃度に添加し、非常に低い抵抗率を製造することができます。主にエピタキシャル成長基盤として用いられます。
導電型
N or P
面方位
<100>,<110>,<111>
φ直径 (インチ)
3~8
直径
76.2~200mm
厚さ
160以上
プライマリーフラット長さ
57.5±2.5mm
プライマリーフラット方位
<001>±1°
セカンダリーフラット長さ
無し
セカンダリーフラット方位
無し
TTV
≦5um
Bow
≦40um
Warp
≦40um
表面仕上げ
化学機械研磨
LPD
≧0.3um at ≦15pcs
裏面
エッチド
チッピング
無し
型番
高濃度CZ-Si取扱企業
株式会社トゥーリーズカテゴリ
Metoree経由で見積もり
2024年12月5日にレビュー済み
顧客対応への満足度
今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。
初回対応までの時間への満足度
1.49時間
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シリコンウェハの製品85点中、注目ランキング上位6点
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返答率96%
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 育成法 | 導電型 | 面方位 | φ直径 (インチ) | 抵抗値 (Ω・cm) | 直径 | 厚さ | プライマリーフラット長さ | プライマリーフラット方位 | セカンダリーフラット長さ | セカンダリーフラット方位 | TTV | Bow | Warp | 表面仕上げ | LPD | 裏面 | チッピング |
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要見積もり | 高濃度CZ | N or P | <100>,<110>,<111> | 3~8 | >0.001~1 | 76.2~200mm | 160以上 | 57.5±2.5mm | <001>±1° | 無し | 無し | ≦5um | ≦40um | ≦40um | 化学機械研磨 | ≧0.3um at ≦15pcs | エッチド | 無し |
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直径 mm
5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600厚さ um
0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000抵抗率 Ω・cm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000結晶方位 度
100 - 101 101 - 112 112 - 211導電型
N/P N P成長方法
CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZパーティクルサイズ μm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110
