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リアクタ形状
縦型石英製またはステンレス製
基板 (ウエハ) サイズ×枚数
φ2インチ×1枚
ウエハ面
フェイスアップ
最高加熱温度
900℃ (制御用熱電対値)
基板回転機構
0~30rpm
基板加熱
抵抗加熱方式
プロセス排気
ロータリーポンプ (ドライポンプはオプション対応)
投入室 排気システム
ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ ※ドライポンプはオプション対応
投入室 基板保管機構 (3枚ストック)
標準装備
輸送機構
トランスファーロッド式またはレール式
ガス制御ボックス
有機金属6系統、水素化物系3系統、キャリアガス2系統、ベントガス2系統、ダミーライン、パージライン
シリンダーキャビネット
47L (10L) 容器4本立 (ガス3本、窒素1本)
制御装置 操作パネル
標準装備
制御装置 異常表示
標準装備
制御装置 インターロック機能
標準装備
制御装置 自動成長システム
標準装備
制御装置 バックアップ電源
標準装備
制御装置 保安装置
標準装備
型番
SVS2001取扱企業
株式会社エピクエストカテゴリ
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成膜装置の製品185点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | リアクタ形状 | 基板 (ウエハ) サイズ×枚数 | ウエハ面 | 最高加熱温度 | 基板回転機構 | 基板加熱 | プロセス排気 | 投入室 排気システム | 投入室 基板保管機構 (3枚ストック) | 輸送機構 | ガス制御ボックス | シリンダーキャビネット | 制御装置 操作パネル | 制御装置 異常表示 | 制御装置 インターロック機能 | 制御装置 自動成長システム | 制御装置 バックアップ電源 | 制御装置 保安装置 |
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要見積もり | 縦型石英製またはステンレス製 | φ2インチ×1枚 | フェイスアップ | 900℃ (制御用熱電対値) | 0~30rpm | 抵抗加熱方式 | ロータリーポンプ (ドライポンプはオプション対応) |
ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ ※ドライポンプはオプション対応 |
標準装備 | トランスファーロッド式またはレール式 | 有機金属6系統、水素化物系3系統、キャリアガス2系統、ベントガス2系統、ダミーライン、パージライン | 47L (10L) 容器4本立 (ガス3本、窒素1本) | 標準装備 | 標準装備 | 標準装備 | 標準装備 | 標準装備 | 標準装備 |
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成膜装置成膜装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#半導体製造 #光学部品製造 #太陽電池製造 #ディスプレイ製造 #電池材料開発 #センサ開発 #薄膜トランジスタ開発 #表面改質 #機能性材料研究 #MEMS製造 #医療機器製造 #材料評価成膜方式
蒸着法 スパッタリング法 CVD法 ALD法 溶液法構成環境
真空型 低圧型プラズマ利用有無
プラズマ無し プラズマ援用型 高周波プラズマ型基板搬送方式
固定基板型 回転基板型 ロール搬送型到達圧力 Pa
0 - 0.01 0.01 - 1 1 - 10基板サイズ mm
25 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 650設置面積 m²
1 - 5 5 - 10 10 - 20所要電力 kVA
10 - 15 15 - 20 20 - 25 25 - 30 30 - 35真空槽 mm
500 - 800 800 - 1,000基板バイアス V
0 - 5,000 5,000 - 25,000
