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返答時間
162.9時間
対象
生産用
処理可能範囲
600 × 600 (mm)
処理時間
約4.5時間 / バッチ (SiO2 15μ成膜時)
膜厚分布
560x560 (mm)面内士7%以下
膜厚
15μm (SiO2)
使用ガス
Ar、N2O、SiH4 (Ar希釈) :窒素 (ベント用、パージ用)
主排気真空ポンプ
油拡散ポンプ (オプション:ターボ分子ポンプ)
放電用RF電源
13.56MHz (1.5kW)
基板加熱ヒータ
加熱温度360°C±10°C (最大380°C)
操作
タッチパネルによる全自動
型番
ロードロック式 プラズマCVD装置シリーズ
薄膜形成装置 プラズマCVD装置取扱企業
神港精機株式会社カテゴリ
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商品画像 | 価格 (税抜) | 対象 | 処理可能範囲 | 処理時間 | 膜厚分布 | 膜厚 | 使用ガス | 主排気真空ポンプ | 放電用RF電源 | 基板加熱ヒータ | 操作 |
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要見積もり | 生産用 | 600 × 600 (mm) | 約4.5時間 / バッチ (SiO2 15μ成膜時) | 560x560 (mm)面内士7%以下 | 15μm (SiO2) | Ar、N2O、SiH4 (Ar希釈) :窒素 (ベント用、パージ用) | 油拡散ポンプ (オプション:ターボ分子ポンプ) | 13.56MHz (1.5kW) | 加熱温度360°C±10°C (最大380°C) | タッチパネルによる全自動 |
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