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薄膜形成装置 プラズマCVD装置-神港精機株式会社

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返答率

100.0%

返答時間

162.9時間

全型番で同じ値の指標

対象

生産用

処理可能範囲

600 × 600 (mm)

処理時間

約4.5時間 / バッチ (SiO2 15μ成膜時)

膜厚分布

560x560 (mm)面内士7%以下

膜厚

15μm (SiO2)

使用ガス

Ar、N2O、SiH4 (Ar希釈) :窒素 (ベント用、パージ用)

主排気真空ポンプ

油拡散ポンプ (オプション:ターボ分子ポンプ)

放電用RF電源

13.56MHz (1.5kW)

基板加熱ヒータ

加熱温度360°C±10°C (最大380°C)

操作

タッチパネルによる全自動

この製品について

600mm 基板に対応した大型プラズマCVD装置です。 緻密なシリコン酸化膜の形成が可能で薄膜キャパシタの作製に適しています。

  • 型番

    ロードロック式 プラズマCVD装置

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薄膜形成装置 プラズマCVD装置 ロードロック式 プラズマCVD装置の性能表

商品画像 価格 (税抜) 対象 処理可能範囲 処理時間 膜厚分布 膜厚 使用ガス 主排気真空ポンプ 放電用RF電源 基板加熱ヒータ 操作
薄膜形成装置 プラズマCVD装置-品番-ロードロック式 プラズマCVD装置 要見積もり 生産用 600 × 600 (mm) 約4.5時間 / バッチ (SiO2 15μ成膜時) 560x560 (mm)面内士7%以下 15μm (SiO2) Ar、N2O、SiH4 (Ar希釈) :窒素 (ベント用、パージ用) 油拡散ポンプ (オプション:ターボ分子ポンプ) 13.56MHz (1.5kW) 加熱温度360°C±10°C (最大380°C) タッチパネルによる全自動

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使用用途

#コンフォーマルコート #パッシベーション層 #バリア層 #凹凸覆膜 #色度制御 #絶縁層 #低温処理 #硫化抑制

機能

単層ALD 複層ALD 高速ALD

温度管理

高温ALD 低温ALD

処理基板 ¢mm

50 - 150 150 - 250 250 - 350 350 - 700 700 - 1,400

スパッタ方向

アップ ダウン

スパッタ電源

0 - 1 1 - 5 5 - 20

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この商品の取り扱い会社情報

返答率

100.0%


返答時間

162.9時間

会社概要

神港精機株式会社は1949年に設立した、真空ポンプ・真空装置を中心にアセンブリ装置・光学検査装置を製造するメーカーです。 技術開発型の企業として、「真空技術」を応用した製造装置及びコンポーネントを主軸とした「モノづくり...

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  • 本社所在地: 兵庫県
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