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トランジスタに含まれる5カテゴリ一覧です。フォトトランジスタ・トランジスタアレイ・パワートランジスタなど幅広く、製品・メーカー・代理店を探すことができます。
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東和電子株式会社
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) は、MOSFETの様にゲート・エミッター間電圧を制御することで、コレクター・エミッター間をON/OFFできるスイッチン...
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イサハヤ電子株式会社
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RT8H255Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗により構成された複合トランジスタです。このトランジスタのご使用により、セットの小型化、部品及び工...
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イサハヤ電子株式会社
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INJ0011AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。 低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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イサハヤ電子株式会社
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■概要 2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製造されていますので、...
イサハヤ電子株式会社
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INJ0103AM1は、超小型樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等の低...
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日清紡マイクロデバイス株式会社
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R5543シリーズは、2電源タイプのCMOSのロードスイッチICです。降圧DC/DCコンバータの出力などの二次電源ラインの分配に最適な製品です。Typ. 18 mΩの低オン抵...
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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅な削減が可能となりま...
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イサハヤ電子株式会社
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INJ0011AM1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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イサハヤ電子株式会社
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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...
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アルワン電子株式会社
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φ4~20mmまでのパッケージを採用し、光導電性を利用した樹脂コーティングタイプのセンサで、明抵抗値、形状ともに豊富にラインナップしています。明抵抗領域...
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2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されていますので、オーディオ機器...
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2SA1364は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにコレクタ損失が大きく、設計、製造されてお...
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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減...
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イサハヤ電子株式会社
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INJ0011AC1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機器等...
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アルワン電子株式会社
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LDR (CDS) の代替として開発された可視光受光センサです。可視光領域に感度を持ち、0~6,000Luxの照度に対して優れた直線性の出力が得られ、照明機器などに幅...
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