会社概要
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点）
革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。
事業内容
【取扱品目】
■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス
SOI = Silicon on Insulator
SiSi = Silicon Silcon bonded
MEMS = Microelectromechanical Systems
DSOI= Double SOI
DSP=Double Sided Polished
CSOI=Cavity SOI
Thin SOI
TSOI=Trench SOI
TSV=Through-Silicon Vias
■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V)
特長:
低オン抵抗
超低ゲート電荷量
耐高dv/dt特性
高耐アバランシェ特性
耐高ピーク電流特性
増相互コンダクタンス特性
アプリケーション:
産業用電源、充電器
データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet
屋内外の電灯 : HID 、LED電灯
LED TV Driver ,動力電源
太陽光発電
HV,EV 充電器
会社沿革
2005: ISO9001 取得
2006: Super Junction MOSFET開発/ 供給開始
2011: GEN1 耐圧６００－６５０V のSJMOSFETのプレスリリース
2014: ISO/TS16949 取得 GEN2 サンプル供給
2018: IATF16949:2016 取得 Belfast Business Award
2019: ISO14001 取得 BEST TECHNOLOGY BASED BUSINESS AWARD
2021: 5月 NASAのSBIR プロジェクト 月から火星へキャンペーン 放射性耐性の高耐圧MOSFETトランジスタの開発でアワード受賞
7月 SOI ベルファスト工場 8インチライン拡張2023: 英国宇宙機関とADSは放射線耐性のパワーエレクトロニクスの発展に向けた資金30万ポンドをアイスモスに授与
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会社基本情報
| 郵便番号 | 〒135-0064 |
|---|---|
| 本社住所 | 東京都東京都江東区青海2丁目7-4 the SOHO 0603 |
| 創業年 | 2004年 |
| 資本金 | 2,500,000,000円 |
| 従業員数 | 92人 |
| リンク | アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社 ホームページ |
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