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10 点の製品
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ICやMEMS応用など広い範囲に適用され、広い分野の市場に対応できる仕様のスペックのウエハーです。 様々なSOI基板の経験を通して、高い...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ワールドクラスの両面ポリッシュのソリューションをお届けします。デザインや製造において⾧年の経験のある高い技術を持ったチームがご...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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2011年よりリリースされた高いアバランシェ耐量をもつGEN1シリーズ。汎用品、工業、医療用などの電源に最適です。 1960年代からシリコ...
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ICやMEMS用に幅広く使用されております。 アプリケーションエンジニアがお客様のDSOIウエハーをプロセスするのに最適なパラメーターの...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスやPiNダイオード用に従来使用されていた材料の代替として用いることができ、費用対効果が高...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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100-150mmのキャビティーボンディングSOIウエハーをMEMSの広い分野において提供します。深いシリコンエッチの⾧年の経験を活かし、高度...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを分離など、誘電体分離技術を提供します。隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレ...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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2023年より順次展開されておりますGEN2シリーズ。GEN1と比較し、よりQgやRdsonが低くなるように工夫されており、小型化されたパッケージ...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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革新的でパワフルなウエハー内部導通技術の開発により、ICやMEMSなどデザインによるパッケージ問題などを解決する手段となります。 内...
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高耐圧600V以上のパワー MOSFET!低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧のスーパー...
2023年12月25日
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2023年12月25日
郵便番号 | 〒135-0064 |
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本社住所 | 東京都東京都江東区青海2丁目7-4 the SOHO 0603 |
創業年 | 2004年 |
資本金 | 2,500,000,000円 |
従業員数 | 92人 |
リンク | アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社 ホームページ |
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