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50 点の製品
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ワールドクラスの両面ポリッシュのソリューションをお届けします。デザインや製造において⾧年の経験のある高い技術を持ったチームがご...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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ICやMEMS応用など広い範囲に適用され、広い分野の市場に対応できる仕様のスペックのウエハーです。 様々なSOI基板の経験を通して、高い...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスやPiNダイオード用に従来使用されていた材料の代替として用いることができ、費用対効果が高...
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ICやMEMS用に幅広く使用されております。 アプリケーションエンジニアがお客様のDSOIウエハーをプロセスするのに最適なパラメーターの...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを分離など、誘電体分離技術を提供します。隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレ...
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革新的でパワフルなウエハー内部導通技術の開発により、ICやMEMSなどデザインによるパッケージ問題などを解決する手段となります。 内...
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アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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2011年よりリリースされた高いアバランシェ耐量をもつGEN1シリーズ。汎用品、工業、医療用などの電源に最適です。 1960年代からシリコ...
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2023年より順次展開されておりますGEN2シリーズ。GEN1と比較し、よりQgやRdsonが低くなるように工夫されており、小型化されたパッケージ...
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高耐圧600V以上のパワー MOSFET!低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧のスーパー...
2023年12月25日
技術シリコンウエハー基板とファウンドリーサービス100-200mmの貼付ウエハー(SOI,SiSi)や誘電体分離や高アスペクト比の深いトレンチエッチなどカスタム品を...
2023年12月25日
郵便番号 | 〒135-0064 |
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本社住所 | 東京都東京都江東区青海2丁目7-4 the SOHO 0603 |
創業年 | 2004年 |
資本金 | 2,500,000,000円 |
従業員数 | 92人 |
リンク | アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社 ホームページ |
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