DSOI Wafer-DSOI Wafer ウエハー直径 100mm
DSOI Wafer-アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

DSOI Wafer アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社


この製品について

ICやMEMS用に幅広く使用されております。 アプリケーションエンジニアがお客様のDSOIウエハーをプロセスするのに最適なパラメーターの組み合わせの選択をお手伝いします。実験開発レベルの少量ロットから量産まで対応可能。MEMSプロセスエンジニアは光学、 慣性、生体や他のMEMS分野においても経験あります。追加のファウンドリーサービスとしてMEMSやトレンチエッチング、隔離構造なども提供いたします。 6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセスにおいて、常に継続的改善を進めながら世界クラスの製品品質を目指し、お客様の理想的なパートナーであり続けます。

■アプリケーション

・MEMS/MST向けSOIソリューション ・マイクロ流体力学/フローセンサー ・RF MEMS ・光マクロマシーン ・光エレクトロニクス ・光学 MEMS

■最終市場

・テレコミニケーション ・医療 ・自動車 ・家電 ・セキュリティー

  • シリーズ

    DSOI Wafer



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DSOI Wafer 品番4件

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まとめて問合せ・見積 商品画像 品番 価格 (税抜) ハンドル層 厚さ ハンドル層厚さ 公差範囲 ハンドル層 重ね厚さ 範囲 ハンドル層ドーパント タイプ ハンドル層ドーピング ハンドル層 抵抗率 ハンドル層 シリコン成長方法 ハンドル層 結晶方位 ハンドル層 裏面処理 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜厚さ デバイス層 (第一膜、第二膜) 膜厚 デバイス層 (第一膜、第二膜) 厚さ 公差範囲 デバイス層 (第一膜、第二膜) ドーパントタイプ デバイス層 (第一膜、第二膜) ドーピング デバイス層 (第一膜、第二膜) 抵抗率 デバイス層 (第一膜、第二膜) シリコン成長方法 デバイス層 (第一膜、第二膜) 結晶方位
DSOI Wafer-品番-DSOI Wafer ウエハー直径 100mm

DSOI Wafer ウエハー直径 100mm

要見積もり 200-1,100μm ±5μm 280-1,150μm NまたはP N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる ≥1.5μm ±0.5 μm N or P N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110
DSOI Wafer-品番-DSOI Wafer ウエハー直径 125mm

DSOI Wafer ウエハー直径 125mm

要見積もり 200-1,100μm ±5μm 280-1,150μm NまたはP N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる ≥1.5μm ±0.5 μm N or P N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110
DSOI Wafer-品番-DSOI Wafer ウエハー直径 150mm

DSOI Wafer ウエハー直径 150mm

要見積もり 200-1,100μm ±5μm 280-1,150μm NまたはP N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる ≥1.5μm ±0.5 μm N or P N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110
DSOI Wafer-品番-DSOI Wafer ウエハー直径 200mm

DSOI Wafer ウエハー直径 200mm

要見積もり 450-1,100μm ±5μm 280-1,150μm NまたはP N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる ≥5μm ±0.8 μm N or P N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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会社概要

【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハー】のメーカーです。MEMSや貼り付け技術で製造と開発をリードします!

当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術...

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