SOI Wafer-SOI Wafer ウエハー直径 100mm
SOI Wafer-アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

SOI Wafer アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社


この製品について

ICやMEMS応用など広い範囲に適用され、広い分野の市場に対応できる仕様のスペックのウエハーです。 様々なSOI基板の経験を通して、高いスキルをもつアプリケーションエンジニアチームが、要求事項に応じてパラメーターのお見積りの選択をお手伝いし、完璧なカスタムSOIのソリューションを提供します。6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を進め、世界クラスの製品品質を提供いたします。十分に競争できるコストと柔軟な対応でSOIの理想的なパートナーであり続けます。

■アプリケーション

・高度なプレッシャーセンサー ・加速度計 ・ジャイロスコープ ・マイクロ流体力学/フローセンサー ・RF MEMS ・光マイクロマシーン/光MEMs ・光エレクトロニクス ・スマートパワー ・最先端Analog IC技術 ・マイクロフォン ・高級腕時計

■最終市場

・テレコミニケーション ・医療 ・自動車 ・コンシューマー ・楽器

  • シリーズ

    SOI Wafer



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SOI Wafer 品番4件

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まとめて問合せ・見積 商品画像 品番 価格 (税抜) ハンドル層 厚さ ハンドル層厚さ 公差範囲 ハンドル層 重ね 厚さ 範囲 ハンドル層 ドーパント タイプ ハンドル層 ドーピング ハンドル層 抵抗率 ハンドル層 シリコン成長方法 ハンドル層 結晶方位 ハンドル層 裏面処理 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜厚さ デバイス層膜厚 デバイス 厚さ 公差範囲 デバイス層 ドーパントタイプ デバイス層 ドーピング デバイス層 抵抗率 デバイス層 シリコン成長方法 デバイス層 結晶方位 デバイス層 埋め込み層のインプラ
SOI Wafer-品番-SOI Wafer ウエハー直径 100mm

SOI Wafer ウエハー直径 100mm

要見積もり 200-1,100μm ±5μm 280-1,150μm NまたはP N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両方に成長 ≥1.5μm ±0.5 μm N or P N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 N type または P type
SOI Wafer-品番-SOI Wafer ウエハー直径 125mm

SOI Wafer ウエハー直径 125mm

要見積もり 200-1,100μm ±5μm 280-1,150μm NまたはP N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両方に成長 ≥1.5μm ±0.5 μm N or P N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 N type または P type
SOI Wafer-品番-SOI Wafer ウエハー直径 150mm

SOI Wafer ウエハー直径 150mm

要見積もり 200-1,100μm ±5μm 280-1,150μm NまたはP N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両方に成長 ≥1.5μm ±0.5 μm N or P N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 N type または P type
SOI Wafer-品番-SOI Wafer ウエハー直径 200mm

SOI Wafer ウエハー直径 200mm

要見積もり 200-1,100μm ±5μm 280-1,150μm NまたはP N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両方に成長 ≥5μm ±0.8 μm N or P N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm CZ、MCZ or FZ 100、111 or 110 N type または P type

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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会社概要

【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハー】のメーカーです。MEMSや貼り付け技術で製造と開発をリードします!

当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術...

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