TSOI Wafer アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
この製品について
■オプション供給
・隔離マスクによる誘電体分離基板の供給 ・アイスモスをファウンドリーとして事前に隔離プロセスが施された誘電体分離ICの提供 ・Full ICデザインの供給とお客様の回路からの誘電体分離における製造■後の隔離技術適用ができます
・Simple Bipolar ・CMOS (1P,2M) ・BiCMOS (1P,2M)■トレンチ隔離 SOI 基板は完全に誘電体をタブ毎に隔離の利点
・埋め込み層をなくす ・エピ層をなくす ・P+隔離をなくす ・寄生キャパシターを最小化 ・高品質結晶のシリコン層 ・同時になしえるウエハー当たりのダイ収量増加 ・高耐圧特性能力 ・カスタマイズされたトレンチパターン プロセスエンジニアがお客様のデザイングループと密に働き、プロセスの発展への実現化につなげます。■アプリケーション
・MEMSデバイス ・ソリッドステートリレー光電発電機 ・太陽光発電セルと光電子デバイスIC ・テレコム用の高耐圧アナログIC ・高パフォーマンスバイポーラ回路 ・スマートパワーIC ・集積センサー■主な特徴
・完全なデバイス隔離 ・従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進 ・従来のDI技術と比べ低い欠陥密度 ・バルクより低い基板キャパシタンス ・EPIによるトレンチ隔離よりコスト安-
シリーズ
TSOI Wafer
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TSOI Wafer 品番3件
各品番毎の詳細は品番をクリックしてください
| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ハンドル 厚さ | ハンドル厚さ 公差範囲 | ハンドル層 重ね厚さ 範囲 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜 | デバイス層膜厚 | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 低効率 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層 埋め込み層インプラ | デバイス層 トレンチ マスクトーン | デバイス層 トレンチ マスクタイプ | デバイス層 トレンチライン幅 | デバイス層 トレンチアスペクト比 | デバイス層 トレンチ横拡散ドーピング | デバイス層 トレンチ埋め込み-酸化膜 (両側面) | デバイス層 トレンチ埋め込み-ポリシリコン | デバイス層 平坦化 | デバイス層 最終フィールド酸化膜 |
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TSOI Wafer ウエハー直径 100mm |
要見積もり | 350-800μm | ±5μm | 350-1,150μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる | ≥1.5-100μm | ±0.5 μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | N type または P type | Positive Resist | E-beam master for projection aligner | >2μm | 15:1 | Phosphorus | 0.1-1.0μm | To full (ドープまたはノンドープのポリシリコン) | CMP | 熱酸化膜+TEOS 1μmまで | |
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TSOI Wafer ウエハー直径 125mm |
要見積もり | 350-800μm | ±5μm | 350-1,150μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる | ≥1.5-100μm | ±0.5 μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | N type または P type | Positive Resist | E-beam master for projection aligner | >2μm | 15:1 | Phosphorus | 0.1-1.0μm | To full (ドープまたはノンドープのポリシリコン) | CMP | 熱酸化膜+TEOS 1μmまで | |
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TSOI Wafer ウエハー直径 150mm |
要見積もり | 350-800μm | ±5μm | 350-1,150μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる | 0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる | ≥1.5-100μm | ±0.5 μm | N or P | N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron | ≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm | CZ、MCZ or FZ | 100、111 or 110 | N type または P type | Positive Resist | E-beam master for projection aligner | >2μm | 15:1 | Phosphorus | 0.1-1.0μm | To full (ドープまたはノンドープのポリシリコン) | CMP | 熱酸化膜+TEOS 1μmまで |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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