項目別

直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400

厚さ um

200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P P

成長方法

使用用途

半導体製造電子部品試作研究開発

豊港のシリコンウェハ

企業: 豊港導電型: P

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株式会社豊港

シリコンプレート

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Nd:YVO4　レーザー結晶 Yb:YAG　レーザー結晶 Yb:KGW　レーザー結晶 Ti:Sapphire　レーザー結晶 Nd:KGW　レーザー結晶 Cr:LiSAF　...

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ホタル石に代表されるフッ化物結晶は、真空雰囲気中において１０００℃以上の高温で結晶を育成しなくてはならず、それには高度な装置・プ...

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6インチ熱酸化膜100000Å (両面) 膜付Siウェーハ

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ウェーハへの膜付加工を行った製品を「膜付ウェーハ」と呼びます。ウェーハの成膜プロセスには、絶縁膜としての層間絶縁材料、導電材料...

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