TSOI Wafer | アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

TSOI Wafer 品番3件

フィルター

品番	価格 (税抜)	ハンドル厚さ	ハンドル厚さ公差範囲	ハンドル層重ね厚さ範囲	ハンドル層ドーパントタイプ	ハンドル層ドーピング	ハンドル層抵抗率	ハンドル層シリコン成長方法	ハンドル層結晶方位	ハンドル層裏面処理	埋め込み酸化膜熱酸化膜埋め込み酸化膜	デバイス層膜厚	デバイス厚さ公差範囲	デバイス層ドーパントタイプ	デバイス層ドーピング	デバイス層低効率	デバイス層シリコン成長方法	デバイス層結晶方位	デバイス層埋め込み層インプラ	デバイス層トレンチマスクトーン	デバイス層トレンチマスクタイプ	デバイス層トレンチライン幅	デバイス層トレンチアスペクト比	デバイス層トレンチ横拡散ドーピング	デバイス層トレンチ埋め込み-酸化膜 (両側面)	デバイス層トレンチ埋め込み-ポリシリコン	デバイス層平坦化	デバイス層最終フィールド酸化膜
TSOI Wafer ウエハー直径 100mm	要見積もり	350-800μm	±5μm	350-1,150μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる	≥1.5-100μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type	Positive Resist	E-beam master for projection aligner	>2μm	15:1	Phosphorus	0.1-1.0μm	To full (ドープまたはノンドープのポリシリコン)	CMP	熱酸化膜+TEOS 1μmまで
TSOI Wafer ウエハー直径 125mm	要見積もり	350-800μm	±5μm	350-1,150μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる	≥1.5-100μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type	Positive Resist	E-beam master for projection aligner	>2μm	15:1	Phosphorus	0.1-1.0μm	To full (ドープまたはノンドープのポリシリコン)	CMP	熱酸化膜+TEOS 1μmまで
TSOI Wafer ウエハー直径 150mm	要見積もり	350-800μm	±5μm	350-1,150μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる	≥1.5-100μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type	Positive Resist	E-beam master for projection aligner	>2μm	15:1	Phosphorus	0.1-1.0μm	To full (ドープまたはノンドープのポリシリコン)	CMP	熱酸化膜+TEOS 1μmまで