DSOI Wafer
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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この製品について

ICやMEMS用に幅広く使用されております。

アプリケーションエンジニアがお客様のDSOIウエハーをプロセスするのに最適なパラメーターの組み合わせの選択をお手伝いします。実験開発レベルの少量ロットから量産まで対応可能。MEMSプロセスエンジニアは光学、 慣性、生体や他のMEMS分野においても経験あります。追加のファウンドリーサービスとしてMEMSやトレンチエッチング、隔離構造なども提供いたします。

6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセスにおいて、常に継続的改善を進めながら世界クラスの製品品質を目指し、お客様の理想的なパートナーであり続けます。

■アプリケーション ・MEMS/MST向けSOIソリューション 
・マイクロ流体力学/フローセンサー 
・RF MEMS 
・光マクロマシーン 
・光エレクトロニクス 
・光学 MEMS 

■最終市場・テレコミニケーション 
・医療 
・自動車 
・家電 
・セキュリティー 

型番
この商品には4種類の型番があります

シリーズ
DSOI Wafer

取扱企業
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

カテゴリ

半導体製造

シリコンウェハ

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DSOI Wafer 品番4件

フィルター

品番	価格 (税抜)	ハンドル層厚さ 200-1,100μm 450-1,100μm	ハンドル層厚さ公差範囲	ハンドル層重ね厚さ範囲	ハンドル層ドーパントタイプ	ハンドル層ドーピング	ハンドル層抵抗率	ハンドル層シリコン成長方法	ハンドル層結晶方位	ハンドル層裏面処理	埋め込み酸化膜熱酸化膜埋め込み酸化膜厚さ	デバイス層 (第一膜、第二膜) 膜厚 ≥1.5μm ≥5μm	デバイス層 (第一膜、第二膜) 厚さ公差範囲 ±0.5 μm ±0.8 μm	デバイス層 (第一膜、第二膜) ドーパントタイプ	デバイス層 (第一膜、第二膜) ドーピング	デバイス層 (第一膜、第二膜) 抵抗率	デバイス層 (第一膜、第二膜) シリコン成長方法	デバイス層 (第一膜、第二膜) 結晶方位
DSOI Wafer ウエハー直径 100mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	NまたはP	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110
DSOI Wafer ウエハー直径 125mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	NまたはP	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110
DSOI Wafer ウエハー直径 150mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	NまたはP	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110
DSOI Wafer ウエハー直径 200mm	要見積もり	450-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	NまたはP	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスもしくは両ウエハーによる	≥5μm	±0.8 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110