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CVD装置 金属熱CVD装置-金属熱CVD装置
CVD装置 金属熱CVD装置-株式会社日本シード研究所

CVD装置 金属熱CVD装置
株式会社日本シード研究所



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この製品について

■概要

・コールドウォール式の熱CVD装置です。最高800℃の加熱制御が行えます。 ・成膜基板およびその近傍を加熱する構造の為、原料を効率良く利用できます。 ・直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ・ウエハサイズ 最大3インチ×1 (専用搬送トレイ) ・ロードロック式、トランスファーロッド式搬送機構 ・MV仕様 (0.1Pa以下) ・コールドウォール式

■特徴

・SUS製チャンバを処理炉とし、試料交換室とトランスファーロッドを備えたロードロック式成膜装置です。 ・ホットプレート式の成膜ステージでは基板温度を最高800℃で加熱制御します。 ・成膜ステージは回転機構を備え、また均一にプロセスガスを導入する構造により、均一な金属膜を作製することができます。 ・最大3インチ基板対応の専用基板ホルダを付属します。

  • シリーズ

    CVD装置 金属熱CVD装置

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CVD装置 金属熱CVD装置 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 装置構成 搬送系 (標準) 装置構成 モジュール 真空槽 プロセス室 到達圧力 試料交換室 (標準) 到達圧力 プロセス室 (標準) 真空槽 排気系 主排気ポンプ 排気系 補助ポンプ 排気系 各種バルブ 真空計 低真空 真空計 高真空 圧力制御 基板サイズ 反応性ガス 槽内アクセス アクセスドア 制御系 主操作 機能 (例) 試料交換室 機能 (例) CVD室 オプション 圧力制御 オプション 水冷機構 オプション 排気バルブ ユーティリティ 電力 ユーティリティ 冷却水 ユーティリティ プロセスガス ユーティリティ ペントガス ユーティリティ 圧縮空気 ユーティリティ 設置面積
CVD装置 金属熱CVD装置-品番-金属熱CVD装置

金属熱CVD装置

要見積もり

手動トランスファーロッド

試料交換室×1室
プロセス室×1室

熱CVD室
コールドウォール式

≦1.0×10^ー1Pa
(プロセス室 真空ポンプ共用)

≦1.0×10^ー1Pa

SUSチャンバ

試料交換室、プロセス室共用:油回転真空ポンプ

試料交換室、プロセス室共用:メカニカルブースタポンプ

手動式

ピラニ真空計

ワイドレンジ真空計

MAX3インチ (付属専用ホルダ)
不定形状可能

H2+WF6
(プロセス室構成例)

試料交換室:Oリングシール
プロセス室:CFフランジ

手動
制御盤 各種操作パネル

トランスファーロッド
(ホルダ×1式積載)

成膜ステージ (X)
基板加熱 (常用700℃、MAX800℃)

絶対圧真空計

冷却水循環装置

自動バルブ

3Φ AC200V 50/60Hz 50A (プロセス室構成例)

供給圧:0.2~0.3MPa
水温:20~28℃
水量:≧5L/min (プロセス室構成例)

Ar、H2 (プロセス室構成例)

窒素ガス
0.1~0.15MPa

0.5~0.8MPa

(W×D×H) =1.7m×0.8m×1.8m
(プロセス室構成例)

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半導体製造装置をフィルターから探すことができます

使用用途

#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測

ウェハーサイズ mm

0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350

チップサイズ mm

0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35

基板サイズ mm

0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500

処理能力 秒/chip

0 - 1 2 - 31

ボンディング精度 μm

0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21

電源電圧 V

90 - 120 120 - 220 220 - 260

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

研究開発向けオーダーメイドの真空装置・機器の製作を得意としています。
オリジナル製品をはじめ、各種規格部品、メーカー製品を取り扱っております。
真空装置・機器の改造・修理・オーバーホール・移設など、ご要望...

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