シリコンウェーハバッチ式自動洗浄装置
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この製品について

半導体洗浄装置とは、半導体製造工程の1つである洗浄工程に用いられる装置の総称です。
洗浄工程は半導体製造工程全体の30〜40％を占める重要な工程です。高温処理工程や薄膜形成工程の前に十分に汚れを除去する前処理としての洗浄と、酸化膜・薄膜を削るエッチング工程の後にレジスト残滓物などを除去する後工程としての洗浄があります。

半導体洗浄装置は、薬液や純水を使用するウェット洗浄装置と薬液を使用しないドライ洗浄装置に大別されます。
半導体洗浄装置は、半導体製造工場の各種工程で使用されます。シリコンウェハ上に半導体素子を形成する前工程でも素子を切り離し、パッケージ化して最終製品を製造する後工程でも使われます。
特に前工程では、ウェハ表面の汚染物質や付着物が半導体の品質や歩留まりに与える影響が非常に大きいです。そのため、ウェハ上に酸化膜・薄膜を形成する工程の前、成膜工程の後、エッチング工程の後など、非常に多くの段階で半導体洗浄装置が使われています。

■対応プロセスワイヤーソー後洗浄・ラップ後洗浄・アルカリエッチング洗浄・熱処理前洗浄・熱処理後洗浄・研磨後洗浄・FINAL洗浄に対応します。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
シリコンウェーハバッチ式自動洗浄装置

取扱企業
PHT株式会社

カテゴリ

洗浄剤・装置

洗浄装置

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商品画像	品番	価格 (税抜)	ウエハーサイズ	ウエハ材質	処理槽及び構成	HEPA又はULPA	ロボット	薬液	薬液温度	薬液槽	リンス槽	LD＆ULD	乾燥	用力	オプション設備	処理枚数	搬送方式	洗浄方法	処理時間
	SCC-250	要見積もり	φ200mm・φ300mm	シリコン (SiCなどの化合物半導体は、別途仕様打合せ必要)	ライン構成により別途仕様打合せ	数量は構成により決定	PHT製又はPHOENIX ENGINEERING製：上下軸 (ACサーボ駆動) +走行軸 (ACサーボ駆動) +チャック機構 (エア駆動)	O₃・HF・NCW・KOH・NH₄OH・H₂O₂・HCL・EDTA・HCL・クエン酸・DIW	最大100℃まで対応可能	振子揺動・回転・超音波	バブリング、QDR、比抵抗計設置	イオナイザー (オプション)	温水引上・IR・スピンドライヤー・マランゴニー	純水、窒素 (エアセンサー用) 、クリーンエアー、電源、真空 (搬送用)	オゾン発生装置	25枚・50枚の2種類	キャリアタイプ・キャリアレスタイプから選択	使用するプロセスに応じて洗浄槽の構成が決まります。	1バッチ (25枚又は50枚) 5分 (300sec) ~6分 (360sec) です。