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ウエハーサイズ
Φ3inch (標準) 、又はΦ4inch、最大Φ6inch
プロセスガス
最大3系統MFC (Ar, O2標準, N2オプション)
真空排気系
ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ、WRGワイドレンジゲージ
到達真空度
5×10-5Pa
プラズマ電源
RF<30W 自動マッチングユニット付属
ユーティリティ 電源
200V 単相 20A
ユーティリティ プロセスガス
25psi (0.17Mpa) 99.99%推奨
ユーティリティ ベントガス
5-6psi (34-41kpa)
ユーティリティ 冷却水
1L/min <4bar (400kpa) , 18-20℃
ユーティリティ 圧縮空気
60-80psi (413-550Mpa)
型番
ETCH5A取扱企業
テルモセラ・ジャパン株式会社カテゴリ
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エッチング装置の製品48点中、注目ランキング上位6点
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商品画像 | 価格 (税抜) | ウエハーサイズ | プロセスガス | 真空排気系 | 到達真空度 | プラズマ電源 | ユーティリティ 電源 | ユーティリティ プロセスガス | ユーティリティ ベントガス | ユーティリティ 冷却水 | ユーティリティ 圧縮空気 | オプション |
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要見積もり | Φ3inch (標準) 、又はΦ4inch、最大Φ6inch | 最大3系統MFC (Ar, O2標準, N2オプション) | ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ、WRGワイドレンジゲージ | 5×10-5Pa | RF<30W 自動マッチングユニット付属 | 200V 単相 20A | 25psi (0.17Mpa) 99.99%推奨 | 5-6psi (34-41kpa) | 1L/min <4bar (400kpa) , 18-20℃ | 60-80psi (413-550Mpa) |
・APC プロセス圧力自動制御パッケージ, DC電源ユニット |
エッチング装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#半導体製造 #ディスプレイ製造 #MEMS加工 #センサー製造 #光デバイス製造 #電子部品製造 #フォトマスク加工 #ウェーハ加工 #ナノ加工 #試作開発 #学術研究エッチング方式
ウェットエッチング型 ドライエッチング型 イオンビームエッチング型プラズマ生成方式
高周波プラズマ型 インダクティブプラズマ型 キャパシティブプラズマ型搬送方式
バッチ式 シングルウェハ式対象材料
シリコン対応型 化合物半導体対応型 金属膜対応型 絶縁膜対応型ウェハサイズ mm
50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 350プラズマソース
CCP型 ICP RF プラズマ マイクロ波圧力制御
APC制御 FAPC