低ダメージで平滑な表面が実現 PlasmaPro 100 ALE 原子層エッチングシステム オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
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この製品について
■概要
PlasmaPro 100 ALE原子層エッチングシステムにより、次世代半導体デバイスのエッチングを正確にコントロールすることが可能になります。GaN HEMTアプリケーションのリセスエッチングやナノスケールのレイヤーエッチングなどのプロセス用に特別に設計されており、システムの一層毎またはサイクリックエッチングプロセスにより、低ダメージで平滑な表面が実現します。 ・一層毎またはサイクリックエッチングプロセス - ALD に相当するエッチング ・低ダメージ ・平滑なエッチング表面 ・優れたエッチング深さ制御 ・ナノスケールのレイヤーエッチングに最適 (2Dマテリアルなど) ・幅広いプロセス・アプリケーションに対応■特徴
次世代半導体デバイスの実現に向け、薄膜化が進む中、より精密なプロセス制御による薄膜の形成・加工が求められています。PlasmaPro 100 ALEは、当社のCobra ICPプラットフォームに原子層エッチング用の特別なハードウェアを追加することにより、実現しました。 ・チャンバー内の均一な高伝導経路で反応種を基板に供給：低圧を維持したまま高ガス流を利用可能 ・高さ可変電極：プラズマの3次元的な特性を活かし、厚さ10mmまでの基板を最適な高さで保持 ・広温度範囲電極 (-150℃～＋400℃) を液体窒素や液循環式冷却器で冷却、または抵抗加熱器で加熱：オプションのブローアウト・液交換ユニットでモード切り替えを自動化可能 ・再循環型チラーユニットによる流体制御電極：優れた基板温度制御を実現 ・最適なガス供給が可能なRFシャワーヘッド：LF/RF スイッチングにより均一なプラズマ処理を実現し、膜応力を精密に制御 ・65mm、180mm、300mmのICPプラズマ源：200mmウェハまでプロセスの均一性を実現 ・高いポンプ能力：広いプロセス圧力ウィンドウを提供 ・He裏面冷却によるウェハクランプ：ウェハの最適な温度管理-
シリーズ
低ダメージで平滑な表面が実現 PlasmaPro 100 ALE 原子層エッチングシステム
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低ダメージで平滑な表面が実現 PlasmaPro 100 ALE 原子層エッチングシステム 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) |
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PlasmaPro 100 ALE |
要見積もり |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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