JZLEAP Semiconductor | SiCウエハ (6インチ/8インチ)
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■SiCウエハー・8インチ N型4H-SiC (Production, Research, Dummy) 
・6インチ N型4H-SiC (Production, Research, Dummy) 
・6インチ 半絶縁型4H-SiC (Production, Research, Dummy) 

■SiC MOSFET/Diode・650V 10A JBS Diodes
・650V 4A JBS Diodes
・1200V 10A JBS Diodes
・1200V 80mOhm MOSFET
・1200V 10A MPS Diodes
・1200V 80mOhm MOSFET
・1200V 100A MPS Diodes
・1200V 80mOhm MOSFET
・1200V 40mOhm MOSFET
・1700V 1Ohm MOSFET
・1200V 10A MPS Diodes
・1200V 15mOhm MOSFET
・3300V 1Ohm MOSFET

■用途電気自動車、充電パイル、太陽光発電インバーター、UPS、風力発電機など。耐熱、耐電圧、高周波数、ハイパワーなど従来のSi、Ge, GaAs、InPより性能が求められる光デバイス、パワーデバイス、マイクロ波デバイスなどに使用されます。

型番
JZLEAP Semiconductor

シリーズ
SiCウエハ (6インチ/8インチ)

取扱企業
武蔵野物産株式会社

カテゴリ

半導体製造

シリコンウェハ

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使用用途

#半導体製造 #太陽電池 #MEMS製造 #センサ開発 #電子部品試作 #パワーデバイス #研究開発 #フォトニクス #車載機器開発 #医療機器開発

素材の種類

モノクリスタルシリコンポリシリコン

サイズ

4インチウェハ 6インチウェハ 8インチウェハ

プロセス

化学機械研磨エピタキシャル成長

直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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