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54 点の製品
株式会社エピクエスト
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ハイグレードな研究に。より高度な研究から、準生産用に最適なMBE装置です。標準Ⅲ-Ⅴ族用に加え、Ⅱ-Ⅵ族用、Si系、金属系など種々の材料に...
株式会社エピクエスト
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パーソナルユースに。低価格、省スペース、しかも高性能を実現した研究用MBE装置です。小型機ながら本格的な研究が可能です。STMなどの...
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■特長 ・他社製MBE装置にも取り付けられるコンパチブルタイプ。 ・放出ガス及び不純物の低減を考慮した材料を選択しています。 ・真空ベ...
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■特長 ・他社製MBE装置にも取り付けられるコンパチブルタイプ。 ・放出ガス及び不純物の低減を考慮した材料を選択しています。 ・真空ベ...
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最新の閲覧: 6時間前
測定用基板を小型チャンバー内にセットし、真空引きガス導入及び加熱が可能です。また、チャンバー上部には観測用の窓を備え、顕微鏡に...
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生産用に。高度な分子線シュミレーション技術を駆使し設計されたセル基板装置より、大面積ホルダ (Φ8"以上) に高均一 (±1%以下) な結晶...
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ハイグレードな研究に。より高度な研究から、準生産用に最適なMBE装置です。標準Ⅲ-Ⅴ族用に加え、Ⅱ-Ⅵ族用、Si系、金属系など種々の材料に...
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SHシリーズは、窒化物半導体用として特別に開発された横型ステンレス製リアクタを採用しています。シミュレーション技術により設計され...
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■特長 ・他社製MBE装置にも取り付けられるコンパチブルタイプ。 ・放出ガス及び不純物の低減を考慮した材料を選択しています。 ・真空ベ...
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■特長 ・低放出ガス特性を実現します。 ・蒸発材料未投入にて、1,500℃に加熱した場合10-8Paの真空度を保持します。 (弊社、超高真空チャ...
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SVシリーズは、優れたシミュレーション技術と長年の経験から最適設計された縦型石英リアクタを採用しています。GaAs系・InP系材料におい...
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SHシリーズは、窒化物半導体用として特別に開発された横型ステンレス製リアクタを採用しています。シミュレーション技術により設計され...
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本製品は、世界で初めてSi用として開発されたKセルであり、EBガンでは従来コントロールできなかった高精度 (0.005~0.5Å/s) の膜厚制御...
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装置取付ポートがICF114の時、シャッター無ICF70サイズのKセルに、シャッター機構を付加することができます。
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最新の閲覧: 17時間前
高真空対応のスパッタガンを用いることにより、10-2Pa台においても薄膜形成が可能です。最高5元までのスパッタガンの設置が可能です。
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磁場偏向および、ベローズによるビーム軸調整機能を内蔵。フィラメント部の差動排気が可能な配管取付ポートをオプションとして追加でき...
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高融点金属の蒸発源として最適な高温Kセルです。2,000℃までの加熱が可能です。
株式会社エピクエスト
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■特徴 ・6インチまで対応 ・高温成長可能 (MAX2,200℃) ・急速昇温可能 (1,000℃→2,000℃まで1分以内) ・カーボンフリー ・超高真空仕様 ...
株式会社エピクエスト
■特長 ・低放出ガス特性を実現します。 ・蒸発材料未投入にて、1,500℃に加熱した場合10-8Paの真空度を保持します。 (弊社、超高真空チャ...
株式会社エピクエスト
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多目的なアニール処理が可能です。手動トランスファーロッドにより、加熱部への試料の出入れが短時間で行え、高速の昇温/降温が可能です。
株式会社エピクエスト
本装置は、プロセスユニット部、ガス制御部、シリンダーキャビネット部、電気制御部を1.3m×1.3mのフットプリントに設置した、オール・イ...
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郵便番号 | 〒601-8142 |
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本社住所 | 京都府京都市南区上鳥羽中河原51 |
創業年 | 2000年 |
資本金 | 30,000,000円 |
法人番号 | 4130001031630 |
リンク | 株式会社エピクエスト ホームページ |
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