項目別

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位度

100 - 101 101 - 112

導電型

N/P

成長方法

使用用途

半導体製造太陽電池 MEMS製造センサ開発パワーデバイスフォトニクス車載機器開発医療機器開発

アイスモス・テクノロジー・ジャパンのシリコンウェハ

企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン使用用途: 半導体製造

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