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各種デバイス、素子向け ウエハーレベル バーンイン
Semi Next株式会社

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この製品について

■完全なハードウェアで各回路を保護 最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応

『wafer level burn-in』は、Si、GaN、SiC、セラミック等のデバイスをウェーハでバーンインでき、デバイスのバーイン効率を大幅アップ。最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで各回路を保護します。

■特長

・Si、GaN、SiC、セラミック等のウェーハのバーンインに好適 ・治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能 ・ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能 ・電圧レンジMAX2000Vまでカスタマイズ可能 ・バーイン中の電流モニタリング対応 ・温度範囲 RT-200C

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    各種デバイス、素子向け ウエハーレベル バーンイン

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