CSOI Wafer | アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

CSOI Wafer 品番3件

フィルター

品番	価格 (税抜)	ハンドル厚さ	ハンドル厚さ公差範囲	ハンドル層重ね厚さ範囲	ハンドル層ドーパントタイプ	ハンドル層ドーピング	ハンドル層抵抗率	ハンドル層シリコン成長方法	ハンドル層結晶方位	ハンドル層裏面処理	埋め込み酸化膜熱酸化膜埋め込み酸化膜	デバイス層膜厚	デバイス厚さ公差範囲	デバイス層ドーパントタイプ	デバイス層ドーピング	デバイス層低効率	デバイス層シリコン成長方法	デバイス層結晶方位	デバイス層埋め込み層のインプラ	デバイス層薄膜厚さ/SOI 厚さ	デバイス層キャビティーSPAN (幅) :薄膜 (デバイス) 厚みの比	デバイス層最小ボンディングサイズ特徴	デバイス層キャビティーの深さ	デバイス層キャビティー作成箇所
CSOI Wafer ウエハー直径 100mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type	>2μm	<50:1 μm (デザインによる)	20μm	1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20%	ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層
CSOI Wafer ウエハー直径 125mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type	>2μm	<50:1 μm (デザインによる)	20μm	1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20%	ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層
CSOI Wafer ウエハー直径 150mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type	>2μm	<50:1 μm (デザインによる)	20μm	1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20%	ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層