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シリコンウェハの製品86点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ハンドル 厚さ | ハンドル厚さ 公差範囲 | ハンドル層 重ね厚さ 範囲 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | 埋め込み酸化膜 熱酸化膜 埋め込み酸化膜 | デバイス層膜厚 | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 低効率 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層 埋め込み層のインプラ | デバイス層 薄膜 厚さ/SOI 厚さ | デバイス層 キャビティーSPAN (幅) :薄膜 (デバイス) 厚みの比 | デバイス層 最小 ボンディングサイズ特徴 | デバイス層 キャビティーの深さ | デバイス層 キャビティー作成箇所 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSOI Wafer ウエハー直径 100mm |
要見積もり |
200-1,100μm |
±5μm |
280-1,150μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる |
0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる |
≥1.5μm |
±0.5 μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
N type または P type |
>2μm |
<50:1 μm (デザインによる) |
20μm |
1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20% |
ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 |
|
|
|
CSOI Wafer ウエハー直径 125mm |
要見積もり |
200-1,100μm |
±5μm |
280-1,150μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる |
0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる |
≥1.5μm |
±0.5 μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
N type または P type |
>2μm |
<50:1 μm (デザインによる) |
20μm |
1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20% |
ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 |
|
|
|
CSOI Wafer ウエハー直径 150mm |
要見積もり |
200-1,100μm |
±5μm |
280-1,150μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる |
0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両ウエハーによる |
≥1.5μm |
±0.5 μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
N type または P type |
>2μm |
<50:1 μm (デザインによる) |
20μm |
1-30μm@ +/-10%、31-300μm @+/-20% |
ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 |
