SOI Wafer
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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この製品について

ICやMEMS応用など広い範囲に適用され、広い分野の市場に対応できる仕様のスペックのウエハーです。

様々なSOI基板の経験を通して、高いスキルをもつアプリケーションエンジニアチームが、要求事項に応じてパラメーターのお見積りの選択をお手伝いし、完璧なカスタムSOIのソリューションを提供します。6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を進め、世界クラスの製品品質を提供いたします。十分に競争できるコストと柔軟な対応でSOIの理想的なパートナーであり続けます。

■アプリケーション ・高度なプレッシャーセンサー 
・加速度計 
・ジャイロスコープ 
・マイクロ流体力学/フローセンサー 
・RF MEMS 
・光マイクロマシーン/光MEMs 
・光エレクトロニクス 
・スマートパワー 
・最先端Analog IC技術 
・マイクロフォン 
・高級腕時計 

■最終市場・テレコミニケーション 
・医療 
・自動車 
・コンシューマー 
・楽器

型番
この商品には4種類の型番があります

シリーズ
SOI Wafer

取扱企業
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

カテゴリ

半導体製造

シリコンウェハ

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SOI Wafer 品番4件

フィルター

品番	価格 (税抜)	ハンドル層厚さ	ハンドル層厚さ公差範囲	ハンドル層重ね厚さ範囲	ハンドル層ドーパントタイプ	ハンドル層ドーピング	ハンドル層抵抗率	ハンドル層シリコン成長方法	ハンドル層結晶方位	ハンドル層裏面処理	埋め込み酸化膜熱酸化膜埋め込み酸化膜厚さ	デバイス層膜厚 ≥1.5μm ≥5μm	デバイス厚さ公差範囲 ±0.5 μm ±0.8 μm	デバイス層ドーパントタイプ	デバイス層ドーピング	デバイス層抵抗率	デバイス層シリコン成長方法	デバイス層結晶方位	デバイス層埋め込み層のインプラ
SOI Wafer ウエハー直径 100mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	NまたはP	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両方に成長	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type
SOI Wafer ウエハー直径 125mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	NまたはP	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両方に成長	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type
SOI Wafer ウエハー直径 150mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	NまたはP	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両方に成長	≥1.5μm	±0.5 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type
SOI Wafer ウエハー直径 200mm	要見積もり	200-1,100μm	±5μm	280-1,150μm	NまたはP	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる	0.2-4.0μm ハンドル、デバイスまたは両方に成長	≥5μm	±0.8 μm	N or P	N type: Phos、 Red Phos、Sb＆As P type: Boron	≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm	CZ、MCZ or FZ	100、111 or 110	N type または P type