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CVD装置 プラズマCVD装置-プラズマCVD装置
CVD装置 プラズマCVD装置-株式会社日本シード研究所

CVD装置 プラズマCVD装置
株式会社日本シード研究所



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この製品について

■概要

・容量結合型プラズマ方式のCVD装置です。 ・加熱機構を備えており、任意の温度に基板を加熱して成膜することが可能です。 ・直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ・ウエハサイズ 最大2インチ×1 (専用搬送トレイ) ・ロードロック式、トランスファーロッド式搬送機構 ・HV仕様 (1.0×10-3 Pa以下) ・DCプラズマ

■特徴

・試料交換室とトランスファーロッドを備えたロードロック式成膜装置です。 ・輻射式の加熱機構を備え、基板温度を最高800℃で加熱制御します。 ・成膜ステージはX軸移動式となっており、プラズマエリア中を移動させることが可能です。 ・低温から高温、プラズマ範囲内での位置変更や連続移動を行うなどにより、様々な条件での成膜が行えます。 ・最大2インチ基板対応の専用基板ホルダを付属します。

  • シリーズ

    CVD装置 プラズマCVD装置

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CVD装置 プラズマCVD装置 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 装置構成 搬送系 (標準) 装置構成 モジュール 真空槽 プロセス室 到達圧力 試料交換室 (標準) 到達圧力 プロセス室 (標準) 真空槽 排気系 主排気ポンプ 排気系 補助ポンプ 排気系 各種バルブ 真空計 低真空 真空計 高真空 圧力制御 基板サイズ 反応性ガス 槽内アクセス アクセスドア 制御系 主操作 機能 (例) 試料交換室 機能 (例) CVD室 オプション 圧力制御 オプション 水冷機構 ユーティリティ 電力 ユーティリティ 冷却水 ユーティリティ プロセスガス ユーティリティ ペントガス ユーティリティ 圧縮空気 ユーティリティ 設置面積
CVD装置 プラズマCVD装置-品番-プラズマCVD装置

プラズマCVD装置

要見積もり

手動トランスファーロッド

試料交換室×1室
プロセス室×1室

プラズマCVD室
直流 (DC) プラズマ式

≦10Pa
(プロセス室 補助ポンプ共用)

≦1.0×10^ー3Pa

SUSチャンバ

試料交換室:油回転真空ポンプ
プロセス室:ターボ分子ポンプ

油回転真空ポンプ
(試料交換室主排気ポンプ 共用)

PLC操作 (自動および手動)

ピラニ真空計

ワイドレンジ真空計

MAX2インチ (付属専用ホルダ)
不定形状可能

H2+N2+C2H4
(プロセス室構成例)

試料交換室:Oリングシール
プロセス室:Oリングシール、アクセスフランジ

制御盤PLC操作

トランスファーロッド
(ホルダ×1式積載)

成膜ステージ (X)
基板加熱 (常用600℃、MAX800℃)

絶対圧真空計

冷却水循環装置

3Φ AC200V 50/60Hz 30A (プロセス室構成例)

供給圧:0.2~0.3MPa
水温:20~28℃
水量:≧6L/min (プロセス室構成例)

Ar、H2、N2 (プロセス室構成例)

窒素ガス
0.1~0.15MPa

0.5~0.8MPa

(W×D×H) =1.8m×0.8m×1.8m
(プロセス室構成例)

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プラズマCVD装置をフィルターから探すことができます

使用用途

#センサー開発 #ディスプレイ製造 #バリア膜形成 #研究開発 #光学部品製造 #絶縁膜形成 #太陽電池製造 #電子部品製造 #半導体製造 #表面改質

基板加熱温度 ℃

0 - 300 300 - 500 500 - 800 800 - 1,000 1,000 - 1,200

制御操作

PC PLC タッチパネル

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