スパッタ成膜装置超高真空スパッタ成膜装置
株式会社日本シード研究所

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この製品について

■概要・斜入射レイアウトのカソードを備えたスパッタ成膜装置です。
・最大3式のカソードを構成することができ、試料交換室、トランスファーロッドを増設することができます。
・直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。
・ウエハサイズ 最大2インチ×1 (専用搬送トレイ) ※4インチ仕様 応相談
・ロードロック式、トランスファーロッド式搬送機構 増設可能
・UHVチャンバ対応
・傾斜膜、同時スパッタ (Co-sputter) 他

■特徴・高真空領域で金属単結晶膜を作製することができる抵抗加熱式の高真空蒸着装置です。
・SUS製 UHVチャンバを採用、ベークアウトにより到達圧力10-6Pa台の超高真空環境が得られます。
・抵抗加熱用蒸着源には各種蒸着源 (ボート、フィラメント、バスケット、ルツボ) の設置が可能です。
・最大4インチ基板対応の専用基板ホルダを付属します。
・高温加熱ヒータを搭載しており、最高 500℃基板加熱中に成膜を行うことができます。
・オプションとして水晶振動子式膜厚計の選択が可能となっており、最適な膜厚制御が可能になります。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
スパッタ成膜装置超高真空スパッタ成膜装置

取扱企業
株式会社日本シード研究所

カテゴリ

半導体製造

半導体製造装置

加工・工作機器

成膜装置

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商品画像	品番	価格 (税抜)	排気性能到達圧力	排気性能排気時間	真空槽	真空槽基板/カソード間距離	真空槽ベーキング	排気系主排気ポンプ	排気系補助ポンプ	排気系各種バルブ	真空計低真空高真空	基板サイズ	槽内アクセスアクセスドア	制御系主操作	機能シャッター	オプション膜厚制御	オプション排気バルブ	オプションステージ	ユーティリティ電力・接地	ユーティリティ冷却水	ユーティリティプロセスガス	ユーティリティペントガス	ユーティリティ圧縮空気	ユーティリティ設置面積	ユーティリティ重量
	超高真空スパッタ成膜装置	要見積もり	≦1.0×10^ｰ5Pa	≦2.0×10^ｰ5Pa 40min以内	SUS製チャンバ Φ200×400mm (H)	100mm	Max100℃	ターボ分子ポンプ (空冷)	油回転真空ポンプ orドライ真空ポンプ	手動操作	ワイドレンジ真空計	MAX2インチ	Oリングシール	手動制御盤各種操作パネル	手動カゾード部	水晶振動子式膜厚計電源停止連動機能	自動バルブ	基板高温加熱or水冷成膜ステージ (X-Y、Z、Rotary)	真空計等 1Φ AC100V 10A 50/60Hz	供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~35℃ 水量：≧10L/min (プロセス室構成例)	Ar、O2、N2 (プロセス室構成例)	窒素ガス 0.1~0.15MPa	0.5~0.8MPa	(W×D×H) ＝1,300mm×1,000mm×2,000mm	装置本体：500kg