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蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置-超高真空蒸着装置
蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置-株式会社日本シード研究所

蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置
株式会社日本シード研究所



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この製品について

■概要

・抵抗加熱式の蒸着装置となっており、高真空領域で単結晶膜を作製することができます。 ・基板上に平滑な金の (111) 面を形成することができる為、原子間力顕微鏡 (AFM) 、走査型プローブ顕微鏡 (SPM) での測定用基板、また自己組織化単分子膜 (SAM) の成長基板の作製に適しています。 ・ウエハサイズ 最大4インチ×1 (専用ホルダ) ・バッチ式 ・UHV仕様 (6.65×10-6 Pa以下) ・抵抗加熱蒸着、高温加熱

■特徴

・高真空領域で金属単結晶膜を作製することができる抵抗加熱式の高真空蒸着装置です。 ・SUS製 UHVチャンバを採用、ベークアウトにより到達圧力10-6Pa台の超高真空環境が得られます。 ・抵抗加熱用蒸着源には各種蒸着源 (ボート、フィラメント、バスケット、ルツボ) の設置が可能です。 ・最大4インチ基板対応の専用基板ホルダを付属します。 ・高温加熱ヒータを搭載しており、最高500℃基板加熱中に成膜を行うことができます。 ・オプションとして水晶振動子式膜厚計の選択が可能となっており、最適な膜厚制御が可能になります。

  • シリーズ

    蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置

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蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 排気性能 到達圧力 排気性能 排気時間 真空槽 真空槽 基板/電極間距離 真空槽 ベーキング 排気系 主排気ポンプ 排気系 補助ポンプ 排気系 各種バルブ 真空計 低真空 真空計 高真空 基板・電極 基板サイズ 基板・電極 蒸発電極 基板・電極 蒸発電源 槽内アクセス アクセスドア 機能 基板加熱 機能 シャッター 制御系 主操作 オプション 膜厚制御 オプション 排気バルブ ユーティリティ 電力・接地 ユーティリティ 冷却水 ユーティリティ ペントガス ユーティリティ 圧縮空気 ユーティリティ 設置面積 ユーティリティ 重量
蒸着成膜装置 超高真空蒸着装置-品番-超高真空蒸着装置

超高真空蒸着装置

要見積もり

≦6.55×10^ー6Pa

≦4.0×10^ー4Pa
15min以内

SUS製チャンバ
Φ300×400mm (H)

Max250mm

Max150℃

ターボ分子ポンプ (空冷)

油回転真空ポンプ
オイルミストトラップ付属

手動操作

ピラニ真空計

電離真空計

MAX4インチ (□10mm×25枚可能)

3点切替式
切替スイッチ付属

SCRコントローラ/トランス
電圧:0~15V、電流:0~30A

Oリングシール

最高500℃±5℃
(基板面)

手動
蒸着源直上

手動
制御盤 各種操作パネル

水晶振動子式膜厚計
電源停止 連動機能

自動バルブ

主電源系
3Φ AC200V 30A 50/60Hz
真空計等
1Φ AC100V 10A 50/60Hz

供給圧:0.2~0.3MPa
水温:20~35℃
水量:≧10L/min

窒素ガス
0.1~0.15MPa

0.5~0.8MPa

(W×D×H) =1,600mm×2,000mm×2,100mm

装置本体:300kg
制御盤:200kg

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使用用途

#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測

ウェハーサイズ mm

0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350

チップサイズ mm

0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35

基板サイズ mm

0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500

処理能力 秒/chip

0 - 1 2 - 31

ボンディング精度 μm

0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21

電源電圧 V

90 - 120 120 - 220 220 - 260

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