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複合成膜装置 インライン式複合成膜装置-インライン式複合成膜装置
複合成膜装置 インライン式複合成膜装置-株式会社日本シード研究所

複合成膜装置 インライン式複合成膜装置
株式会社日本シード研究所



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この製品について

■概要

・超伝導薄膜、金属薄膜、誘電体薄膜を自由な組み合わせで連続成膜することができます。 ・スパッタ成膜、抵抗加熱蒸着などの多用な成膜方法を活かした高品質・高機能な多層膜の作製を可能にしました。 ・先進技術デバイスの研究・開発向けに最適化した成膜システムです。 ・ウエハサイズ 最大2インチ×1 (専用搬送トレイ) ※4インチ仕様 応相談 ・ロードロック式、トランスファーロッド式搬送機構 ・マルチチャンバ、UHVチャンバ対応 ・平板スパッタ、同時スパッタ (Co-sputter) 、IBS (イオンビームスパッタ) 、抵抗加熱蒸着 他

■特徴

・装置にセットした基板は大気に曝すことなく、金属薄膜、誘電体薄膜、超伝導薄膜などを自由な組み合わせで連続成膜することができる複合成膜装置です。 ・スパッタ成膜 (平板スパッタ、同時スパッタ (Co-sputter) ) 、抵抗加熱蒸着 (金属、高融点金属、有機) 、イオンビームスパッタ成膜などの多用な成膜方法を活かした高品質・高機能な多層膜の作製が可能です。 ・イオンビームトリートメントを採用しており、成膜前の基板表面や多層膜間の成膜面の緻密な処理が可能です。 ・マルチチャンバ、UHVチャンバの構成が可能であり、多様なシステムに応じた環境を提供します。 ・対応基板サイズは最大2インチ、付属専用ホルダにて多様な基板形状に対応します。

  • シリーズ

    複合成膜装置 インライン式複合成膜装置

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複合成膜装置 インライン式複合成膜装置 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 装置構成 搬送系 (標準) 装置構成 モジュール (標準) 装置構成 プロセス室 (構成例) 到達圧力 試料交換室 (標準) 到達圧力 プロセス室 (標準) 真空槽 排気系 主排気ポンプ 排気系 補助ポンプ 排気系 各種バルブ 真空計 低真空 真空計 高真空 真空計 圧力制御 基板サイズ 制御系 主操作 制御系 自動動作機能 機能 (例) 試料交換室 機能 (例) Co-sputter室 機能 (例) Multi-sputter室 機能 (例) 蒸着室 機能 (例) その他 ユーティリティ 電力 ユーティリティ 冷却水 ユーティリティ プロセスガス ユーティリティ ペントガス ユーティリティ 圧縮空気 ユーティリティ 設置面積
複合成膜装置 インライン式複合成膜装置-品番-インライン式複合成膜装置

インライン式複合成膜装置

要見積もり

手動トランスファーロッド
(オプション:モータ駆動自動式)

試料交換室×1室
プロセス室×3室

Co-sputter室
Multi-sputter室
蒸着室

≦1.0×10^ー4Pa

≦2.0×10^ー5Pa

SUS製チャンバ

試料交換室:ターボ分子ポンプ
プロセス室:ターボ分子ポンプorクライオポンプ

油圧回路真空ポンプorドライ真空ポンプ

PLC操作 (自動および手動)

ピラニ真空計

電離真空計

絶対圧真空計

MAX2インチ (付属専用ホルダ)
不定形状可能

制御盤PLC操作

排気系動作
モジュール内プロセス運転

ホルダラック (ホルダ×4式積載)
酸化処理機能

スパッタアップ、スパッタ源×3
基板トリートメント×1
基板高温加熱
成膜ステージ (Rotary)

スパッタアップ
スパッタ源×2、IBS×1
基板トリートメント×1
基板加熱

抵抗加熱式蒸着源×3 (切替)
成膜ステージ (Z、Rotary)

ダウンストリーム自動圧力制御
アップストリーム自動圧力制御
水晶振動子式膜厚計
膜厚計ーシャッタ連動

3Φ AC200V 50/60Hz 150A (プロセス室構成例)

供給圧:0.2~0.3MPa
水温:20~28℃
水量:≧40L/min (プロセス室構成例)

Ar、O2、N2 (プロセス室構成例)

窒素ガス
0.1~0.15MPa

0.5~0.8MPa

(W×D×H) =7.0m×4.0m×2.5m
(プロセス室構成例)

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半導体製造装置をフィルターから探すことができます

使用用途

#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測

ウェハーサイズ mm

0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350

チップサイズ mm

0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35

基板サイズ mm

0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500

処理能力 秒/chip

0 - 1 2 - 31

ボンディング精度 μm

0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21

電源電圧 V

90 - 120 120 - 220 220 - 260

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