複合成膜装置インライン式スパッタ成膜装置
株式会社日本シード研究所

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この製品について

■概要・超伝導トンネル接合に適合するニオブ、アルミまたこれらの化合物膜を連続成膜することができます。
・スパッタ成膜に加え、イオンビームスパッタ (IBS) 、高温加熱機能を備えることで多様な薄膜、積層を可能にしました。
・トランスファーロッドによる自動搬送システムを採用し、全自動での積層が可能です。
・超伝導SISミキサ素子の作製に最適化したスパッタ成膜装置です。
・ウエハサイズ 最大4インチ×1 (専用搬送トレイ) 
・ロードロック式、トランスファーロッド搬送 (自動) 
・UHV仕様 (1.0×10-6 Pa以下) 
・平板スパッタ、IBS (イオンビームスパッタ) 、化合物膜 他

■特徴・装置にセットした基板は大気に曝すことなく、ニオブ、アルミまたこれらの化合物膜を自由な組み合わせで連続成膜することができ、イオンビームスパッタ (IBS) 、高温加熱機能を加えることで、多様な金属膜・酸化膜・化合物膜の組み合わせを可能にしたスパッタ成膜装置です。
・UHVシステムにより清浄な真空環境を維持、高品質な素子の作成が可能です。
・トランスファーロッドによる自動搬送システムにより、全自動での積層が可能です。
・Arイオンボンバードメント処理を採用しており、成膜前の基板表面のトリートメントが可能です。
・対応基板サイズは最大4インチ、付属専用ホルダにて多様な基板形状に対応します。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
複合成膜装置インライン式スパッタ成膜装置

取扱企業
株式会社日本シード研究所

カテゴリ

半導体製造

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加工・工作機器

成膜装置

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商品画像	品番	価格 (税抜)	装置構成搬送系	装置構成モジュール (標準)	装置構成プロセス室 (構成例)	到達圧力試料交換室 (標準)	到達圧力プロセス室 (標準)	真空槽	排気系主排気ポンプ	排気系補助ポンプ	排気系各種バルブ	真空計低真空	真空計高真空	真空計圧力制御	基板サイズ	制御系主操作	制御系自動動作機能	機能 (例) 試料交換室	機能 (例) Sputter室	機能 (例) lon Beam Sputter室	機能 (例) その他	ユーティリティ電力	ユーティリティ冷却水	ユーティリティプロセスガス	ユーティリティペントガス	ユーティリティ圧縮空気	ユーティリティ設置面積
	インライン式スパッタ成膜装置	要見積もり	モータ駆動自動式トランスファーロッド×3式	試料交換室×1室プロセス室×3室	Nb Sputter室 AL Sputter室 lon Beam Sputter室	≦1.0×10^ｰ4Pa	≦2.66×10^ｰ6Pa	SUS製チャンバ (UHV仕様)	試料交換室：ターボ分子ポンププロセス室：ターボ分子ポンプorクライオポンプ	油圧回路真空ポンプorドライ真空ポンプ	PLC操作 (自動および手動)	ピラニ真空計	電離真空計	絶対圧真空計	MAX4インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能	制御盤PLC操作	全自動レシピ制御対応	ホルダラック (ホルダ×4式積載) チャンバベーク	スパッタアップ、スパッタ源×1 基板トリートメント×1 成膜ステージ (X-Y、Rotary、水冷) 酸化処理機能	スパッタアップスパッタターゲット×2 (切替) 成膜ステージ (Z、Rotary) 基板高温加熱酸化処理機能	ダウンストリーム自動圧力制御アップストリーム自動圧力制御四重極質量分析計 (Q-Mass)	3Φ AC200V 50/60Hz 150A (プロセス室構成例)	供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~28℃ 水量：≧30L/min (プロセス室構成例)	Ar、O2、N2 (プロセス室構成例)	窒素ガス 0.1~0.15MPa	0.5~0.8MPa	(W×D×H) ＝4.0m×3.0m×3.0m (プロセス室構成例)