広範なプロセスに対応した等方性・異方性ドライエッチング PlasmaPro 100 RIE
オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
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この製品について
■特徴
・200 mm までの、全てのウェハに対応 ・プロセスコントロールに優れた枚葉式またはバッチ式プロセス ・ガスとプラズマパワーを高精度に制御 ・サイズが異なるウェハの迅速な交換が可能 ・所有コストの低さと保守性を両立 ・優れた均質性、高スループットおよび高精度のプロセスが可能 ・その場チャンバー洗浄および終端決定が可能 ・広い電極温度範囲、-150℃～400℃■クラスターロードロック オプション
・NULLALD、ALE、ICP、CVD、PECVD、イオンビームエッチング、イオンビームデポジション装置を含む最大4つ*のプロセスモジュールを用いたクラスタリングが可能 ・中央ハンドリングユニットに直接、またはオプションのロードステーションを介して、シングルウェハをロード (壁面設置の場合は必須) ・複数のチャンバーを同時に稼働させ、ロードステーションが真空状態になるまで、処理されたウェハをチャンバー内で待機させることが可能■動作条件
・5～500mTorr 動作圧力 ・0.1～1.5 W/cm2 電力密度 ・5～200 sccm の総ガス流量 ・下部電極に 30～800 V の DC バイアスを印加 ・基板は通常、石英またはグラファイトカバープレートの上に設置■ロードロックの高度なオプション
・アーム位置の制御： ステッピングモーター ・開口部： 前面はロック機構付きガスストラットで保持 ・ウェハトラッキング： あり ・サイズ：幅 +80 mm、長さ +90mm のコンパクト。200 mm ウェハに最適 ・推奨： 位置精度が重要なアプリケーション ・非推奨：透明基板-
シリーズ
広範なプロセスに対応した等方性・異方性ドライエッチング PlasmaPro 100 RIE
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広範なプロセスに対応した等方性・異方性ドライエッチング PlasmaPro 100 RIE 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) |
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PlasmaPro 100 RIE |
要見積もり |
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