低ダメージで平滑な表面が実現 PlasmaPro 100 ALE 原子層エッチングシステム-PlasmaPro 100 ALE

低ダメージで平滑な表面が実現 PlasmaPro 100 ALE 原子層エッチングシステム
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この製品について

■概要PlasmaPro 100 ALE原子層エッチングシステムにより、次世代半導体デバイスのエッチングを正確にコントロールすることが可能になります。GaN HEMTアプリケーションのリセスエッチングやナノスケールのレイヤーエッチングなどのプロセス用に特別に設計されており、システムの一層毎またはサイクリックエッチングプロセスにより、低ダメージで平滑な表面が実現します。
・一層毎またはサイクリックエッチングプロセス - ALD に相当するエッチング
・低ダメージ
・平滑なエッチング表面
・優れたエッチング深さ制御
・ナノスケールのレイヤーエッチングに最適 (2Dマテリアルなど)
・幅広いプロセス・アプリケーションに対応

■特徴次世代半導体デバイスの実現に向け、薄膜化が進む中、より精密なプロセス制御による薄膜の形成・加工が求められています。PlasmaPro 100 ALEは、当社のCobra ICPプラットフォームに原子層エッチング用の特別なハードウェアを追加することにより、実現しました。

・チャンバー内の均一な高伝導経路で反応種を基板に供給：低圧を維持したまま高ガス流を利用可能
・高さ可変電極：プラズマの3次元的な特性を活かし、厚さ10mmまでの基板を最適な高さで保持
・広温度範囲電極 (-150℃～＋400℃) を液体窒素や液循環式冷却器で冷却、または抵抗加熱器で加熱：オプションのブローアウト・液交換ユニットでモード切り替えを自動化可能
・再循環型チラーユニットによる流体制御電極：優れた基板温度制御を実現
・最適なガス供給が可能なRFシャワーヘッド：LF/RF スイッチングにより均一なプラズマ処理を実現し、膜応力を精密に制御
・65mm、180mm、300mmのICPプラズマ源：200mmウェハまでプロセスの均一性を実現
・高いポンプ能力：広いプロセス圧力ウィンドウを提供
・He裏面冷却によるウェハクランプ：ウェハの最適な温度管理