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高平坦加工シリコンウェーハ
株式会社カーリット

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この製品について

■製品情報

 通常の半導体向け単結晶基板を小口径基板においても高平坦度化を実現いたしました。 通常加工において、平坦度(TTV)が≤3umが限界の加工精度であったところをTTV≤1um化を実現、ご要求仕様によっては更なる高平坦度化にお応えします。  ベース基板の高平坦度が要求される、接合基板やフォトリソ加工における優位性はもちろん、基板上に形成する様々なデポジション膜への均一性にも寄与する基板となり、今後精密性を求められるデバイスに用途は広がります。  また、基板メーカーならではのインゴット時からの作りこみとなるため、基板厚み調整、エッジ形状のシンメトリー化もでき、お客様での煩わしい加工管理、時間の短縮、コスト削減、歩留向上にもお役に立つことが可能です。

■標準製品仕様

・口径：4,6 inch ・TTV：≦1um (実力：≦0.5um) ・面状態：SSP、DSP

■主な用途

・接合用基板（SOI・LT・TC-SAW etc） ・フォトリソ加工用基板 ・その他TTVが影響するプロセス用途

■効果的な事例

・接合用支持基盤の薄化、平坦度化する時間・コストの削減 ・外周部の歩留まり改善

  • シリーズ

    高平坦加工シリコンウェーハ

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高平坦加工シリコンウェーハ 品番1件

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商品画像 品番 価格 (税抜) 単結晶育成法 口径 ドーパント 結晶軸 抵抗率 TTV

高平坦加工シリコンウェーハ

要見積もり

CZ法

4、6　inch

B、P、Sb

<100>、<111>、<110>

≦0.005 ~ 40.0 Ωcm

≦1 um

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使用用途

#半導体製造 #太陽電池 #MEMS製造 #センサ開発 #電子部品試作 #パワーデバイス #研究開発 #フォトニクス #車載機器開発 #医療機器開発

素材の種類

モノクリスタルシリコン ポリシリコン

サイズ

4インチウェハ 6インチウェハ 8インチウェハ

プロセス

化学機械研磨 エピタキシャル成長

直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位 度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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この商品の取り扱い会社情報

株式会社カーリット

会社概要

株式会社カーリットは、化学品や電子材料品などの製造と販売を主な事業としている企業です。

設立は1934年、本社のほかに北海道、大阪、福岡、滋賀に事業所や営業所を、群馬に工場2ヶ所とR&Dセンター、愛知に...

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  • 本社所在地: 東京都

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