XCSW製化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ-テストウェハ-N型150mm SCL

XCSW製化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ
株式会社トゥーリーズ

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この製品について

■XCSW社XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

■テスト用ダミー・モニター・プライムウェハSi基板・ダミーウェハ (再生ウェハ) 
主に実験や試験に使用されるものです。製造工程の初期段階の安全性を向上及び確認向けです。プライムウェハとダミーウェハ合わせてテストウェハと称されます。

・モニターウェハ
製造工程毎に調整のときに使われるウェハです。基板の厚さに対するデバイスの許容誤差の測定、本番前のSiウェハの代用として、監視目的として使われます。

型番
この商品には2種類の型番があります

シリーズ
XCSW製化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ

取扱企業
株式会社トゥーリーズ

カテゴリ

半導体製造

シリコンウェハ

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XCSW製化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ品番2件

フィルター

	商品画像	品番	価格 (税抜)	ウェハサイズ 150±0.5mm	厚さ 675±25um	面方位 <100>±2° 4インチ : (100) or (111) 6~12インチ : -100	結晶育成法 (1-100) CZ	ドーパントリン (P)	転位密度 <5,000/cm²	抵抗値 4~7ohm.cm	ラジアル比抵抗変化量 15%	平行度 BOW (max) : 60um TIR (max) : 6um TAPER (max) : 12um WARP (max) : 60um	プライマリフラット長さ：57.5±2.5mm 面方位： (110) ±2°SEMI準拠セカンダリフラット：SEMI準拠	前面鏡面研磨	パーティクル (max) ≧0.3um,30	スクラッチ、チップ、ピールなど無し	裏面エッチド	インチ 4~12	研磨面 4~8インチ : 片面 12インチ : 両面	基板厚 250~775um	比抵抗 0~100	粒子 4~8インチ :0.2um ≦30個 12インチ : 0.09um ≦100個
		テストウェハ-N型150mm SCL	要見積もり	150±0.5mm	675±25um	<100>±2°	(1-100) CZ	リン (P)	<5,000/cm²	4~7ohm.cm	15%	BOW (max) : 60um TIR (max) : 6um TAPER (max) : 12um WARP (max) : 60um	長さ：57.5±2.5mm 面方位： (110) ±2°SEMI準拠セカンダリフラット：SEMI準拠	鏡面研磨	≧0.3um,30	無し	エッチド	-	-	-	-	-
		モニター/ダミーSiウェハ	要見積もり	-	-	4インチ : (100) or (111) 6~12インチ : -100	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	4~12	4~8インチ : 片面 12インチ : 両面	250~775um	0~100	4~8インチ :0.2um ≦30個 12インチ : 0.09um ≦100個