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返答率
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返答時間
87.8時間
シリーズ
ウェーハレベルパッケージボンダ TFC-9000取扱企業
芝浦メカトロニクス株式会社カテゴリ
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商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 主な用途 | 精度 | Dry UPH | チップサイズ | 基板サイズ |
---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TFC-9000 |
要見積もり |
FO-WLP製品 |
Face Down ±5μm (3σ) *Local認識/R.T条件 |
7,200 (Global) / 5,100 (Local) |
Max.□26mm |
φ200 / 300mmウェーハ Max.330×320mm基板 |
半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 1 - 2 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260